[發明專利]定向多孔硫化銅納米材料的制備方法有效
| 申請號: | 201810111806.6 | 申請日: | 2018-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN108033481B | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 李曉燕;譚亮;李力;岳陽陽;張朝良 | 申請(專利權)人: | 重慶交通大學 |
| 主分類號: | C01G3/12 | 分類號: | C01G3/12;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 重慶謝成律師事務所 50224 | 代理人: | 鄔劍星 |
| 地址: | 400074 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定向 多孔 硫化銅 納米 材料 制備 方法 | ||
本發明公開了一種定向多孔硫化銅納米材料的制備方法,以強堿、單質銅和單質硫作為原料在溫和的反應條件下制得,包括以下步驟:a.將單質硫、強堿和去離子水于反應容器中混合后密封并加熱至180?220℃恒溫反應0.8?1.5小時后制得Na2S和Na2SO3的混合溶液;b.將單質銅放入步驟a中的冷卻至室溫的混合溶液浸泡一定時間后取出,經洗滌、烘干得硫化銅納米材料;合成溫度低、壓強低、產率高、產物形貌規整且穩定性好,在制備過程中沒有采用表面活性劑和有機助劑,經清洗后的硫化銅納米材料表面清潔,能最大程度的發揮其應有的功能。該方法操作簡單,制備過程容易控制,適用于工業化生產,生產成本低廉且環保。
技術領域
本發明涉及納米材料制備技術領域,特別涉及一種定向多孔硫化銅納米材料的制備方法。
背景技術
硫化銅是一種重要的過渡金屬硫化物,也是一種化學穩定性好的多功能半導體材料。納米硫化銅粉體粒徑小、比表面積大,由于量子尺寸效應、表面效應和宏觀量子隧道效應,其半導體納米晶體在分子實體和微晶粒之間有傳導電子的媒介作用,具有其塊體材料無法比擬的光電特性,因此硫化銅納米材料是一種重要的光電導材料,被廣泛應用于發光二極管、光催化劑、熒光材料、電化學電池、傳感器、激光器和太陽能電池等領域,受到人們廣泛的關注,成為研究的熱點。目前硫化銅半導體納米材料的制備方法很多,如化學沉淀法、微波輻射法、氣相沉積法、同相法、溶膠-凝膠法、微乳液法、水熱合成法、噴霧熱解法和超聲合成法等。這些方法在一定程度上存在不足,譬如產物尺寸、形貌難以控制;產率不高;高溫反應條件苛刻或制備過程比較復雜、成本相對較高等。
因此,需要一種具有高產率、尺寸可控、形貌規整的硫化銅半導體納米材料制備方法。
發明內容
有鑒于此,本發明的目的在于提供一種定向多孔硫化銅納米材料的制備方法,反應溫度相對較低,條件溫和,操作簡單,所制得的硫化銅納米材料具有高產率、尺寸可控、形貌規整的特點。
本發明的定向多孔硫化銅納米材料的制備方法,以強堿、單質銅和單質硫作為原料在常溫下反應制得;
進一步,包括以下步驟:
a.將單質硫、強堿和去離子水于反應容器中混合后密封并加熱至180-220℃恒溫反應0.8-1.5小時后制得Na2S和Na2SO3的混合溶液;
b.將單質銅與步驟a中的混合液在常溫下混合反應后所得產物經洗滌、烘干得硫化銅納米材料;
進一步,步驟a中,單質硫、強堿混合后再加入去離子水,單質硫與強堿的質量比為1:2-1:3;
進一步,步驟a中,單質硫與強堿的質量比為2:5,單質硫為硫粉,強堿為氫氧化鈉,步驟b中單質銅為銅片或銅粉;
進一步,所述銅片大小為1x1cm2;
進一步,步驟a中,加熱至200℃恒溫反應1小時;
進一步,步驟b中,混合反應的時間為10--360s;
進一步,步驟b中,烘干溫度為30-80℃;
進一步,烘干溫度為60℃;
進一步,步驟a中將反應容器至于加熱設備加熱,步驟b中采用無水乙醇和去離子水洗滌所得的產物。
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