[發明專利]一種提升PERC電池轉換效率的正面膜層結構以及制備方法

有效

• 申請號: 201810111779.2
• 申請日: 2018-02-05
• 公開（公告）號: CN108110066B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 張鵬;洪布雙;楊蕾;王嵐;閆濤
• 申請（專利權）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 昆明合眾智信知識產權事務所 53113
• 代理人: 張璽

1.一種提升PERC電池轉換效率的正面膜層結構，包括硅片(1)，所述硅片(1)的正面依次沉積有第一層氮化硅膜(2)、第二層氮化硅膜(3)、第三層氮化硅膜(4)以及第四層氮化硅膜(5)，其特征在于：

所述第一層氮化硅膜(2)的厚度為10±2nm、折射率為2.89±0.05；

所述第二層氮化硅膜(3)的厚度為15±2nm、折射率為2.215±0.05；

所述第三層氮化硅膜(4)的厚度為5±2nm、折射率為1.697±0.05；

所述第四層氮化硅膜(5)的厚度為50±3nm、折射率為1.3±0.05。

2.一種制備方法，用于制備權利要求1所述的提升PERC電池轉換效率的正面膜層結構，其特征在于，包括以下步驟：

S1、硅片(1)前處理：將硅片(1)裝入石墨舟中，放入沉積腔室中，調整鍍膜溫度、射頻功率以及占空比；

S2、制備第一層氮化硅膜(2)：在沉積腔室中進行第一層氮化硅膜(2)的沉積，第一層氮化硅膜(2)的沉積氣體流量比為氨氣：硅烷＝1：0.267，第一層氮化硅膜(2)的沉積時間為110±20s；

S3、制備第二層氮化硅膜(3)：在沉積腔室中進行第二層氮化硅膜(3)的沉積，第二層氮化硅膜(3)的沉積氣體流量比為氨氣：硅烷＝1：0.191，第二層氮化硅膜(3)的沉積時間為170±20s；

S4、制備第三層氮化硅膜(4)：在沉積腔室中進行第三層氮化硅膜(4)的沉積，第三層氮化硅膜(4)的沉積氣體流量比為氨氣：硅烷＝1：0.133，第三層氮化硅膜(4)的沉積時間為50±20s；

S5、制備第四層氮化硅膜(5)：在沉積腔室中進行第四層氮化硅膜(5)的沉積，第四層氮化硅膜(5)的沉積氣體流量比為氨氣：硅烷＝1：0.086，第四層氮化硅膜(5)的沉積時間為600±20s。

3.根據權利要求2所述的一種制備方法，其特征在于：S1中，鍍膜溫度為450℃-500℃。

4.根據權利要求2所述的一種制備方法，其特征在于：S1中，射頻功率為設備極限功率的80±5％。

5.根據權利要求2所述的一種制備方法，其特征在于：S1中，占空比為1：12-1：15。