[發(fā)明專利]一種圖案化薄膜的高溫退火方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810110906.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108346583B | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閆興振;王冠達(dá);周路;楊帆;遲耀丹;高曉紅;邊虹宇;史愷;李旭;楊小天 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林建筑大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L21/477 | 分類號(hào): | H01L21/477 |
| 代理公司: | 深圳卓正專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44388 | 代理人: | 王平;萬正平 |
| 地址: | 130118 吉林*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖案 薄膜 高溫 退火 方法 | ||
1.一種圖案化薄膜的高溫退火方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、在基底上形成液態(tài)的圖案化薄膜液,所述圖案化薄膜液中包括成膜材料和溶劑,所述圖案化薄膜液包括多個(gè)微圖案;
S2、將圖案化薄膜液在預(yù)退火溫度下進(jìn)行預(yù)退火處理,得到薄膜前體;所述預(yù)退火溫度比所述溶劑的沸點(diǎn)低4-5℃;
S3、將薄膜前體在過渡退火溫度下進(jìn)行過渡退火處理,得到薄膜過渡體;所述過渡退火溫度比目標(biāo)退火溫度低100-150℃;
S4、將薄膜過渡體在目標(biāo)退火溫度下進(jìn)行退火處理,然后冷卻,得到薄膜;
其中,所述步驟S2中,以3-5℃/min的升溫速率將溫度升高至所述預(yù)退火溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫退火方法,其特征在于,所述步驟S1中,
所述微圖案的尺寸為1000微米以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫退火方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述溶劑選自乙二醇甲醚、環(huán)己酮、乙二醇、N,N-二甲基甲酰胺中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的高溫退火方法,其特征在于,所述溶劑為乙二醇甲醚;
所述步驟S2中,所述預(yù)退火溫度為119-121℃,預(yù)退火時(shí)間為40-60min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫退火方法,其特征在于,所述步驟S1中,所述成膜材料選自銦鋅氧、銦鎵鋅氧、銦錫氧、鎵鋅氧中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高溫退火方法,其特征在于,所述步驟S3中,以3-5℃/min的升溫速率將溫度升高至所述過渡退火溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的高溫退火方法,其特征在于,所述成膜材料選自銦鋅氧;
所述步驟S3中,所述過渡退火溫度為350-400℃,過渡退火時(shí)間為40-60min。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高溫退火方法,其特征在于,所述步驟S4中,以5-10℃/min的升溫速率將溫度升高至所述目標(biāo)退火溫度,所述目標(biāo)退火溫度為500-550℃,退火處理時(shí)間為60-80min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3、5、6、8中任意一項(xiàng)所述的高溫退火方法,其特征在于,所述預(yù)退火處理完成后直接將所述薄膜前體在過渡退火溫度下進(jìn)行過渡退火處理,所述過渡退火處理完成后直接將所述薄膜過渡體在目標(biāo)退火溫度下進(jìn)行退火處理;
所述預(yù)退火處理、過渡退火處理、退火處理均在空氣中進(jìn)行。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林建筑大學(xué),未經(jīng)吉林建筑大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810110906.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





