[發明專利]一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201810110239.2
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN108417990B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發明（設計）人: 胡方靖;涂良成;宋培義;劉驊鋒
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智;曹葆青

1.一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法，其特征在于，包括：

通過控制單元結構的微管道內是否泵入液態金屬，得到兩種狀態的單元結構，對兩種狀態的單元結構進行編碼組合，得到數字電磁超材料；

所述單元結構的微管道內泵入液態金屬，且由單元結構組成的陣列排布形式為非周期時，實現非周期的太赫茲可重構數字電磁超材料；

所述微管道為Ω型，所述微管道的材料為聚酰亞胺、PDMS、二氧化硅、BCB或者硅，所述微管道的厚度為5微米-40微米；微管道在無液體泵入時為0單元，在泵入液態金屬后形成1單元；

所述單元結構還包括：反射層、襯底和封裝層，所述反射層的材料為金或銅，所述反射層的厚度為0.5微米-10微米，所述襯底的材料為聚酰亞胺、PDMS、二氧化硅、BCB或者硅，所述襯底的厚度為20微米-100微米，所述封裝層的材料為聚酰亞胺、PDMS、二氧化硅、BCB或者硅，所述封裝層的厚度為10微米-60微米。

2.如權利要求1所述的一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法，其特征在于，所述液態金屬為共晶鎵銦或者含有納米粒子的膠體銀溶液。

3.如權利要求1或2所述的一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法，其特征在于，所述液態金屬的電導率為3.4×10⁴S/m至3.4×10⁷S/m。

4.如權利要求1或2所述的一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法，其特征在于，所述兩種狀態的單元結構在工作頻段0.3THz時反射系數大于0.85。

5.如權利要求1或2所述的一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法，其特征在于，所述兩種狀態的單元結構在工作頻段0.3THz時的相位差為180度。

6.一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料，其特征在于，所述數字電磁超材料由權利要求1-5任一所述的一種太赫茲頻段可重構數字電磁超材料的制備方法制備得到。