[發明專利]直拉法硅棒生產過程中快速收尾方法有效
| 申請號： | 201810109552.4 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108660507B | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 潘連勝;秦朗;何翠翠 | 申請（專利權）人： | 錦州神工半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/22 | 分類號： | C30B15/22 |
| 代理公司： | 錦州遼西專利事務所(普通合伙) 21225 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 121016 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 直拉法硅棒 生產過程 快速 收尾 方法 | ||
1.一種直拉法硅棒生產過程中快速收尾方法，其特征是：步驟如下：
步驟1：將一定重量的硅晶體原料加入到坩堝中融化，形成穩定流動的熔體；
步驟2：進行引細徑操作，晶體直徑為3-5mm、長度為200-300mm；
步驟3：進行放大，達到目標直徑時，進行等徑操作，直至晶體重量達到設定目標值時即坩堝內殘留重量為總投料量的4%-15%，進入下一步操作；
步驟4：進行收尾操作，通入氬氣，控制壓力為1-10KPa，設置：0.5rpm＜晶轉≤10rpm，堝轉設置為0-15rpm，對晶體的生長速度和坩堝上升速度進行以下控制：
步驟4.1 晶體生長速度為0.15-0.55mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0.1-0.2倍，生長時間1－8min，晶體長度L＝0.15-6mm；
步驟4.2 晶體生長速度為0.05-0.25mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0.15-0.3倍，生長時間1-6min，晶體長度L＝0.05-2.7mm；
步驟4.3 晶體生長速度為0.1-0.40mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0.2-0.4倍，晶體生長時間1-10min，晶體長度L＝0.1-5.5mm；
步驟4.4 晶體生長速度設為0.15-0.55mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0.2-0.3倍，晶體生長時間1-8min，晶體長度L＝0.15-6mm；
步驟4.5 晶體生長速度為0.1-0.40mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0.02-0.03倍，晶體生長時間1-10min，晶體長度L＝0.1-5.5mm；
步驟4.6 晶體生長速度為0.05-0.22mm/min，坩堝上升速度為晶體生長速度的0-0.05倍，晶體生長時間為1-15min，晶體長度L＝0.05-4.5mm；
步驟4.7 晶體生長速度和坩堝上升速度為0mm/min，晶轉速度以0.01-0.1轉/min的速率下降,直至降到1轉，晶體生長時間為29-123min；
步驟5：收尾結束，晶體脫離液體后，進入冷卻環節，直至取出單晶。
2.根據權利要求1所述的直拉法硅棒生產過程中快速收尾方法，其特征是：步驟4.1中晶體生長速度為0.15-0.35mm/min，步驟4.2中晶體生長速度為0.05-0.15mm/min，步驟4.3中晶體生長速度為0.1-0.25mm/min，步驟4.4 中晶體生長速度設為0.15-0.35mm/min，步驟4.5輥晶體生長速度為0.1-0.25mm/min，步驟4.6中晶體生長速度為0.05-0.13mm/min。
3.根據權利要求1所述的直拉法硅棒生產過程中快速收尾方法，其特征是：步驟4.1～步驟4.4中氬氣流速為100～200slpm；步驟4.5～步驟4.7中, 氬氣流速為50～100slpm。
4.根據權利要求1所述的直拉法硅棒生產過程中快速收尾方法，其特征是：步驟4中控制壓力為2-6KPa。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于錦州神工半導體股份有限公司，未經錦州神工半導體股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810109552.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
