[發明專利]深溝槽外延填充方法在審
| 申請號： | 201810109007.5 | 申請日： | 2018-02-05 |
| 公開（公告）號： | CN108376670A | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發明（設計）人： | 伍洲 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 填充 深溝槽 刻蝕 化學機械研磨 晶圓表面 器件性能 深寬比 口沿 磨平 填滿 上層 | ||
【權利要求書】：
1.一種深溝槽外延填充方法，所述深溝槽深寬比達到22:1以上，其特征在于：在對深溝槽進行外延填充時，首先進行第一次外延填充，填充至深溝槽口沿處，未將溝槽填充滿；然后進行化學機械研磨，將晶圓表面磨平，再對溝槽內的外延進行刻蝕，最后再進行第二次外延填充直至溝槽內外延填滿。
2.如權利要求1所述的深溝槽外延填充方法，其特征在于：在進行第一次外延填充時，深溝槽內外延的表面由于深溝槽口沿形貌，在靠近深溝槽口沿形成狹縫、空洞或不平整的表面。
3.如權利要求1所述的深溝槽外延填充方法，其特征在于：化學機械研磨時利用晶圓表面的硬掩膜層作為研磨終止層。
4.如權利要求1所述的深溝槽外延填充方法，其特征在于：對溝槽內外延進行刻蝕時，以硬掩膜層為刻蝕阻擋層，將溝槽內外延有缺陷的部分全部刻蝕完，使溝槽內外延表面平整。
5.如權利要求1所述的深溝槽外延填充方法，其特征在于：所述硬掩膜層的厚度不低于0.2微米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
