[發明專利]一種鈣鈦礦平面異質結太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號： | 201810108688.3 | 申請日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN108269921B | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 謝偉廣;林東旭;劉彭義 | 申請（專利權）人： | 暨南大學 |
| 主分類號： | H01L51/42 | 分類號： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 陳燕嫻 |
| 地址： | 510632 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 鈣鈦礦 平面 異質結 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦平面異質結太陽電池的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
將FTO/電子傳輸層置于金屬熱蒸發鍍膜機中，蒸鍍得到PbI2膜層，所述膜層的厚度為150-220nm；
將蒸鍍所得的PbI2倒置在盛有MAI粉末的條形瓷方舟上，放進真空烘箱中，進行130-180℃的熱處理，使之反應形成鈣鈦礦薄膜；
將所述鈣鈦礦薄膜倒置在盛有BAI的條形瓷方舟上，放進真空烘箱中，進行120-150℃的熱處理，使之反應形成具有高穩定性的三維-二維鈣鈦礦薄膜；待其鈣鈦礦薄膜冷卻后用異丙醇清洗，之后加熱除去殘余的異丙醇；
冷卻后旋涂空穴傳輸層，最后蒸鍍金電極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述電子傳輸層為TiO2。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：在蒸鍍PbI2之前，所述FTO依次經過洗滌劑、去離子水、丙酮、異丙醇超聲清洗。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述MAI粉末的量為70-150mg。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述BAI的量大于50mg。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述異丙醇為無水級，所述清洗為旋涂清洗，轉速為5000rpm/min，清洗時間為30s。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所用空穴傳輸層為Spiro-OMeTAD。
8.一種根據權利要求1至7任一項所述方法制備的鈣鈦礦平面異質結太陽能電池，其包括，包含有FTO的基底，位于所述基底上的電子傳輸層，位于所述鈣鈦礦層上的空穴傳輸層，以及位于所述空穴傳輸層上的電極，其特征在于：位于所述電子傳輸層與所述空穴傳輸層之間三維-二維鈣鈦礦層。
9.根據權利要求8所述的鈣鈦礦平面異質結太陽能電池，其特征在于：所述電子傳輸層為TiO2。
10.根據權利要求8所述的鈣鈦礦平面異質結太陽能電池，其特征在于：所述空穴傳輸層為Spiro-OMeTAD。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于暨南大學，未經暨南大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810108688.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
