[發(fā)明專利]共聚焦顯微系統(tǒng)中針孔軸向位置的調(diào)節(jié)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810107661.2
• 申請(qǐng)日: 2018-02-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108387562B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 丁晨良;魏勁松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): G01N21/64
• 分類號(hào): G01N21/64
• 代理公司: 上海恒慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31317
• 代理人: 張寧展

1.一種共聚焦顯微系統(tǒng)中針孔位置的透射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

a)在蓋玻片上用磁控濺射的方法鍍上一層相變薄膜材料；

b)將該蓋玻片置于樣品臺(tái)上，利用一束功率密度小于5×10⁹W/m²的平行光經(jīng)過(guò)物鏡聚焦照射該蓋玻片；

c)沿著入射光方向移動(dòng)樣品臺(tái)，使蓋玻片經(jīng)過(guò)入射光焦點(diǎn)；

d)通過(guò)探測(cè)器測(cè)量蓋玻片透射光的光強(qiáng)信號(hào)，根據(jù)光強(qiáng)信號(hào)的極值判斷焦點(diǎn)位置：

當(dāng)相變薄膜材料為飽和吸收材料時(shí)，選取光強(qiáng)信號(hào)曲線上的最大值作為焦點(diǎn)位置；

當(dāng)相變薄膜材料為反飽和吸收材料時(shí)，選取光強(qiáng)信號(hào)曲線上的最小值作為焦點(diǎn)位置；

e)將蓋玻片移動(dòng)到焦點(diǎn)位置，此時(shí)調(diào)節(jié)光路反射探測(cè)模塊中的針孔軸向位置，使針孔后方探測(cè)器接收到的光強(qiáng)最大，此時(shí)的針孔位置就是共聚焦系統(tǒng)要求的共軛位置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)中針孔位置的透射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟a)中的相變材料是Sb、Te、Sb₂Te₃、Sb₇₀Te₃₀、InSb、Ge₂Sb₂Te₅或AgInSbTe。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)中針孔位置的透射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟a)中的相變材料的厚度在10到100nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)中針孔位置的透射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟b)中的平行光波長(zhǎng)為405nm。

5.一種共聚焦顯微系統(tǒng)針孔位置的反射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

a)在蓋玻片上用磁控濺射的方法鍍上一層相變薄膜材料；

b)將該蓋玻片置于樣品臺(tái)上，利用一束功率密度小于5×10⁹W/m²的平行光經(jīng)過(guò)物鏡聚焦照射該蓋玻片；

c)沿著入射光方向移動(dòng)樣品臺(tái)，使蓋玻片經(jīng)過(guò)入射光焦點(diǎn)；

d)通過(guò)探測(cè)器測(cè)量蓋玻片反射光的光強(qiáng)信號(hào)，選取光強(qiáng)信號(hào)曲線上的最大值附近凹口的最低點(diǎn)作為焦點(diǎn)位置；

e)將蓋玻片移動(dòng)到焦點(diǎn)位置，此時(shí)調(diào)節(jié)光路反射探測(cè)模塊中的針孔軸向位置，使針孔后方探測(cè)器接收到的光強(qiáng)最大，此時(shí)的針孔位置就是共聚焦系統(tǒng)要求的共軛位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)針孔位置的反射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟a)中的相變薄膜材料是Sb、Te、Sb₂Te₃、Sb₇₀Te₃₀、InSb、Ge₂Sb₂Te₅、或AgInSbTe。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)針孔位置的反射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟a)中的相變材料的厚度在10到100nm之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種共聚焦顯微系統(tǒng)針孔位置的反射探測(cè)式調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述的步驟b)中的平行光波長(zhǎng)為405nm。