[發(fā)明專利]獲得刻蝕深度極限值的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810107621.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110137097B | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林源為 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G06F17/11 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 獲得 刻蝕 深度 極限值 方法 | ||
1.一種獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1,輸入至少三組數(shù)據(jù),每組數(shù)據(jù)包括刻蝕深度的值和對(duì)應(yīng)的工藝循環(huán)次數(shù);
S2,計(jì)算各組所述數(shù)據(jù)中的平均刻蝕率,所述平均刻蝕率為所述刻蝕深度的值與所述工藝循環(huán)次數(shù)的比值;
S3,利用線性擬合的方法擬合出所述平均刻蝕率與所述工藝循環(huán)次數(shù)之間關(guān)系的線性方程;
S4,根據(jù)所述線性方程獲得刻蝕深度與工藝循環(huán)次數(shù)之間關(guān)系的二次曲線,并根據(jù)二次曲線計(jì)算刻蝕深度的極限值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,在步驟S3中,所述線性擬合的方法包括最小二乘法;獲得的線性方程為:y=ax+b;
其中,變量y代表所述平均刻蝕率,變量x代表所述工藝循環(huán)次數(shù);并且,
i=1,2,...,m,m為所述數(shù)據(jù)的組數(shù);xi為第i組數(shù)據(jù)中的工藝循環(huán)次數(shù);yi為第i組數(shù)據(jù)中的所述平均刻蝕率;為m組數(shù)據(jù)中所述工藝循環(huán)次數(shù)的平均值;為m組數(shù)據(jù)中所述平均刻蝕率的平均值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,在步驟S4中,獲得的刻蝕深度與工藝循環(huán)次數(shù)之間關(guān)系的二次曲線為:h=an2+bn;
其中,變量h代表所述刻蝕深度,變量n代表所述工藝循環(huán)次數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,在步驟S4中,對(duì)所述二次曲線求極值,獲得所述刻蝕深度的極限值為:hlimit=-b2/4a。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,所述方法還包括步驟S3’,所述步驟S3’在所述步驟S3之前或者之后進(jìn)行,或者與所述步驟S3同時(shí)進(jìn)行;所述步驟S3’包括:
S31’,計(jì)算各組數(shù)據(jù)中所述平均刻蝕率與所述工藝循環(huán)次數(shù)之間的線性相關(guān)系數(shù);
S32’,判斷該線性相關(guān)系數(shù)是否大于或者等于預(yù)設(shè)達(dá)標(biāo)值;若是,則進(jìn)行步驟S3,若否,則進(jìn)行步驟S33’;
S33’,判斷所述數(shù)據(jù)是否大于三組,若是,則進(jìn)行步驟S34’,若否,則返回執(zhí)行步驟S1;
S34’,選擇任意三組數(shù)據(jù)來執(zhí)行步驟S31’,且判斷該線性相關(guān)系數(shù)是否大于或者等于所述預(yù)設(shè)達(dá)標(biāo)值;若是,則進(jìn)行步驟S3;若否,則返回執(zhí)行步驟S1。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,步驟S31’中,根據(jù)下述公式計(jì)算所述平均刻蝕率與所述工藝循環(huán)次數(shù)之間的線性相關(guān)系數(shù):
其中,X為工藝循環(huán)次數(shù);Y為平均刻蝕率;r(X,Y)為線性相關(guān)系數(shù);Cov(X,Y)為X和Y的協(xié)方差;Var(X)為X的方差;Var(Y)為Y的方差。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,所述預(yù)設(shè)達(dá)標(biāo)值為0.97。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,所述至少三組數(shù)據(jù)通過進(jìn)行對(duì)應(yīng)組數(shù)的試驗(yàn)獲得,各組試驗(yàn)采用的所述工藝循環(huán)次數(shù)不同,而其他工藝參數(shù)均相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,每組試驗(yàn)包括沉積步驟和刻蝕步驟,所述工藝循環(huán)次數(shù)為循環(huán)進(jìn)行所述沉積步驟和刻蝕步驟的次數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或8或9所述的獲得刻蝕深度極限值的方法,其特征在于,該方法應(yīng)用于深硅刻蝕工藝中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





