[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810107342.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108470731A | 公開（公告）日： | 2018-08-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 妹尾賢;宮田征典 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 豐田自動(dòng)車株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/02 | 分類號(hào)： | H01L27/02;H03K17/081 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 何沖;黃隸凡 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 主電極 半導(dǎo)體基板 感測(cè) 陽(yáng)極電極 半導(dǎo)體裝置 二極管 開關(guān)元件 配置 電阻層 陽(yáng)極區(qū)域 陰極區(qū)域 電阻率 過電壓 施加 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于，
包括：
半導(dǎo)體基板；
上方主電極，其配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
感測(cè)陽(yáng)極電極，其配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；
第一電阻層，其配置在所述半導(dǎo)體基板的上方，具有大于所述上方主電極和所述感測(cè)陽(yáng)極電極的電阻率，并連接所述上方主電極和所述感測(cè)陽(yáng)極電極；以及
下方主電極，其配置在所述半導(dǎo)體基板的下方，
所述半導(dǎo)體基板包括開關(guān)元件和感測(cè)二極管，
所述開關(guān)元件連接在所述上方主電極和所述下方主電極之間，
所述感測(cè)二極管包括：p型的第一陽(yáng)極區(qū)域，其與所述感測(cè)陽(yáng)極電極連接；以及n型的第一陰極區(qū)域，其與所述下方主電極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述開關(guān)元件包括與上方主電極連接的p型的體區(qū)，
所述半導(dǎo)體基板包括將所述體區(qū)與所述第一陽(yáng)極區(qū)域分隔開的n型的分隔區(qū)域，
所述第一電阻層的電阻率小于所述分隔區(qū)域的電阻率。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電阻層覆蓋所述上方主電極的上表面的一部分和所述感測(cè)陽(yáng)極電極的上表面的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述上方主電極覆蓋所述第一電阻層的上表面的一部分，
所述感測(cè)陽(yáng)極電極覆蓋所述第一電阻層的上表面的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一電阻層由多晶硅構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還包括第二電阻層，其配置在所述半導(dǎo)體基板的上方，并具有大于所述感測(cè)陽(yáng)極電極的電阻率，
所述第一陽(yáng)極區(qū)域經(jīng)由所述第二電阻層與所述感測(cè)陽(yáng)極電極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述感測(cè)陽(yáng)極電極包括與導(dǎo)線接合的接合焊盤，
所述第二電阻層包括：第一部分，其在所述接合焊盤的下方與所述感測(cè)陽(yáng)極電極連接；以及第二部分，其從所述第一部分延伸至所述接合焊盤的外側(cè)，
所述第一陽(yáng)極區(qū)域不配置在所述接合焊盤的下方，而是經(jīng)由所述第二部分與所述感測(cè)陽(yáng)極電極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二電阻層由多晶硅構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
還包括布線層，其配置在所述半導(dǎo)體基板的上方，具有小于所述第二電阻層的電阻率，并與所述第一陽(yáng)極區(qū)域接觸，
所述第一陽(yáng)極區(qū)域經(jīng)由所述布線層與所述第二電阻層連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一陽(yáng)極區(qū)域與所述第二電阻層接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二電阻層由多晶硅構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求6至11中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體基板包括n型的漂移區(qū)域，所述n型的漂移區(qū)域配置在所述第一陽(yáng)極區(qū)域和所述第一陰極區(qū)域之間，并且其n型雜質(zhì)濃度低于所述第一陰極區(qū)域，
所述第二電阻層的電阻率大于所述漂移區(qū)域的電阻率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述半導(dǎo)體基板還包括續(xù)流二極管，
所述續(xù)流二極管包括：p型的第二陽(yáng)極區(qū)域，其與所述上方主電極連接；以及n型的第二陰極區(qū)域，其與所述下方主電極連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
