[發明專利]陶瓷鋁基板的生產方法

在審

• 申請號: 201810107328.1
• 申請日: 2018-02-02
• 公開（公告）號: CN108323020A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 魏建設;王慶杰;李鵬輝
• 申請（專利權）人: 廊坊市高瓷新材料科技有限公司
• 主分類號: H05K3/02
• 分類號: H05K3/02;H05K3/44;H05K1/05
• 代理公司: 北京中譽威圣知識產權代理有限公司 11279
• 代理人: 呼先軍;高清峰

本發明公開了一種陶瓷鋁基板的生產方法，包括如下步驟：步驟1，在鋁板的表面氧化一層陶瓷作為基板；步驟2，將步驟1中形成的基板的表面通過真空磁控濺射鍍一層過渡金屬鈦；步驟3，將步驟2中形成的表面鍍有過渡金屬鈦的基板再通過真空磁控濺射鍍一層銅；以及步驟4，將步驟3中形成的表面銅鍍層進行電鍍銅加厚。該生產方法能生產導熱可以達到100??200W/m·K，耐擊穿電壓強度可以大于2.0kV的陶瓷鋁基板。

技術領域

本發明涉及印制線路板領域，特別涉及一種陶瓷鋁基板的生產方法。

背景技術

當前市場上覆銅板主要分為鋁基板、樹脂基板和燒結陶瓷基板三類。導熱系數表征的是覆銅板的導熱性能，覆銅板作為基板使用，需要及時地將器件產生的熱量傳導出去，尤其表現在大功率LED等領域，如何提高導熱性能一直是困擾覆銅板行業多年的問題。擊穿電壓表征的是覆銅板耐短時工頻電壓擊穿的能力，為保證整機電子產品的正常、穩定的運行、使用，絕緣基板不能出現有離子遷移現象的發生。因為這種現象的發生，直接影響著整機的絕緣可靠性、耐電壓，甚至會出現電路導線間的短路。

但是，傳統的LED用基板導熱系數低，鋁基板一般導熱系數1-2W/m·K,樹脂基板一般導熱系數小于1W/m·K，陶瓷基板一般導熱系數25-30W/m·K，燒結陶瓷基板雖然導熱性能很好，但是其生產過程能源消耗過大，成本很高，加工困難。鋁基板的擊穿電壓低，基本在2kV，最高不過3kV，特別是鋁基板絕緣層制約了導熱性能，耐腐蝕性差。樹脂基板的導熱性能較差。燒結陶瓷基板經高溫燒結而成，能源消耗較高，雖然導熱性能很好，但是價格昂貴，加工困難，板面面積小。

公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在增加對本發明的總體背景的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域一般技術人員所公知的現有技術。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陶瓷鋁基板的生產方法，能生產導熱可以達到100--200W/m·K，耐擊穿電壓強度可以大于2.0kV的陶瓷鋁基板。

為實現上述目的，本發明提供了一種陶瓷鋁基板的生產方法，包括如下步驟：步驟1，在鋁板的表面氧化一層陶瓷作為基板；步驟2，將步驟1中形成的基板的表面通過真空磁控濺射鍍一層過渡金屬鈦；步驟3，將步驟2中形成的表面鍍有過渡金屬鈦的基板再通過真空磁控濺射鍍一層銅；以及步驟4，將步驟3中形成的表面銅鍍層進行電鍍銅加厚。

優選地，鋁板的表面氧化一層20-50微米的陶瓷。

優選地，過渡金屬鈦為3-10微米厚度。

優選地，銅鍍層的厚度為3-10微米。

優選地，銅鍍層通過電鍍銅加厚到20-70微米。

優選地，將步驟1中形成的基板的表面清洗后進行步驟2。

與現有技術相比，本發明具有如下有益效果：通過氧化加真空鍍膜法制成的陶瓷鋁基板，導熱可以達到100--200W/m·K，耐擊穿電壓強度可以大于2.0kV，解決了傳統鋁基板導熱系數低和焊接時耐高溫差的問題。

附圖說明

圖1是根據本發明的生產方法生產的陶瓷鋁基板的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本發明的具體實施方式進行詳細描述，但應當理解本發明的保護范圍并不受具體實施方式的限制。

除非另有其它明確表示，否則在整個說明書和權利要求書中，術語“包括”或其變換如“包含”或“包括有”等等將被理解為包括所陳述的元件或組成部分，而并未排除其它元件或其它組成部分。

參見圖1，根據本發明具體實施方式的一種陶瓷鋁基板的生產方法，包括如下步驟：

步驟1，在鋁板1的表面氧化一層陶瓷2作為基板；