[發明專利]使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法有效
| 申請號: | 201810106247.X | 申請日: | 2018-02-02 |
| 公開(公告)號: | CN108335720B | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 朱淵源 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/14 | 分類號: | G11C29/14;G11C29/18;G11C29/56 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 存儲器 測試 編寫 個性化 數據 方法 | ||
本發明公開了一種使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法,包括:步驟一、將存儲器測試機和多個存儲器芯片連接;步驟二、將輸入數據拆分為共同數據和個性化數據,對個性化數據進行寫入:步驟21、將各存儲器芯片對應的個性化數據按照位的前后順序依次排列;步驟22、提取各存儲器芯片對應的個性化數據的第一位數據并按照各第一位數據設置對應的通道的邏輯電平;步驟23、發送時鐘信號將各通道的邏輯電平同時發生到對應的存儲器芯片,實現各個性化數據的第一位數據的同時鎖存;步驟24、重復步驟22和23完成各個性化數據其它位數據的同時鎖存,之后進行個性化數據寫入。本發明能節省各同測芯片的個性化數據的寫入時間,提高測試效率。
技術領域
本發明涉及一種半導體集成電路制造方法,特別是涉及一種使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法。
背景技術
在存儲器芯片測試領域,提高同測數是測試工程師提高測試效率采用的方案,128→256→512→1024同測不斷涌現。
但在嵌入式閃存(FLASH)測試中,需要對每個芯片寫入個性化配置的調整值、LOT信息、SLOT信息、XY坐標信息。對于XY坐標信息,SLOT信息和LOT信息現說明如下:
在半導體制造領域中,芯片是制作在半導體襯底如硅襯底上的,硅襯底通常為圓片,故通常稱為晶圓;一片晶圓上會集成多個芯片,故芯片在晶圓的位置通過XY坐標信息確定。
在芯片的生產過程中,通常會大量生產,多片晶圓會放置在一個晶圓盒(cassette)中,通常會給放置在同一晶圓盒中各晶圓編寫同一批號,該批號即對應于LOT信息,也即LOT信息相同的晶圓是同一批晶圓,生產時是以LOT信息為單位安排生產的。
在同一晶圓盒中的多個晶圓也需要編號,通常一個晶圓盒中具有25個放置晶圓的位置,按照晶圓在晶圓盒中的放置位置給晶圓編號,這個編號即為SLOT信息。
而現有的存儲器測試機的特點是通道多,可以實現高同測,但同測時所有芯片都會由向量發生器傳送相同的值,所以要實現個性化值寫入,只能通過測試程序選定一顆被測芯片(DUT),執行包含寫入該芯片的個性化信息的向量,發送波形,待該芯片寫入完成后,再選定另一顆被測芯片,如此遍歷所有的被測芯片。如圖1所示,是現有使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法的波形圖;存儲器測試機的多個通道如通道1、通道2至通道n所示,被測芯片即DUT則分別用DUT1、DUT2和DUTn表示。其中,數據1、數據2至數據n表示對應的DUT1、DUT2至DUTn的個性化數據,由于是個性化數據,故數據1、數據2至數據n之間的值分別不同。現有方法中,也實現個性化數據的輸入,只能按照DUT的不同依次輸入,如圖1中DUT1輸入波形、DUT2輸入波形至DUTn輸入波形所示。
各DUT輸入波形分別包括了輸入數據和時鐘信號,輸入數據又分別包括指令、地址和對應的個性化數據即數據1、數據2至數據n中的對應的一個。由于圖1所示可知,由于各DUT的個性化數據時分別輸入的,要實現對全部n個DUT的個性化數據的輸入,則需要重復n次輸入,即需遍歷n次。也即,如果是1024同測,在寫個性化值操作時,最大需遍歷1024次,發送1024次向量,非常花費時間,如何縮短存儲器測試機同測時個性化值寫入的時間,成為測試工程師需要面臨的巨大挑戰。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法,能節省各同測芯片的個性化數據的寫入時間,提高測試效率。
為解決上述技術問題,本發明提供的使用存儲器測試機編寫個性化數據的方法包括如下步驟:
步驟一、將存儲器測試機和多個用于同測的存儲器芯片連接,所述存儲器測試機的每一個通道連接一個所述存儲器芯片。
步驟二、將輸入數據拆分為共同數據和個性化數據,每一個所述存儲器芯片的個性化數據都不同,按如下步驟對所述個性化數據進行寫入:
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