[發明專利]位移暫存裝置

在審

• 申請號: 201810103046.4
• 申請日: 2018-02-01
• 公開（公告）號: CN110111830A
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 林于勝;宋偉廉
• 申請（專利權）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: G11C19/28
• 分類號: G11C19/28;G09G3/36
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種位移暫存裝置，其特征在于，包括：

多個位移暫存單元，所述多個位移暫存單元相互串連耦接，其中第N級的位移暫存單元包括：

電壓設定電路，接收起始掃描信號以及第N+1級輸出信號，依據所述起始掃描信號以及所述第N+1級輸出信號提供第一電壓或第二電壓至驅動端，其中所述起始掃描信號為第N-1級輸出信號；

至少二控制信號產生器，耦接至所述第一控制端以及所述第二控制端，所述至少二控制信號產生器分別接收至少二偏壓電壓，并分別依據所述至少二偏壓電壓以產生所述第一控制端上的第一控制電壓以及所述第二控制端上的第二控制電壓；

至少二備援控制信號產生器，耦接至所述第一控制端以及所述第二控制端，所述至少二備援控制信號產生器分別接收至少二備援偏壓電壓，并依據所述至少二備援偏壓電壓以分別產生所述第一控制電壓以及所述第二控制電壓；以及

輸出級電路，耦接至所述驅動端、所述第一控制端以及所述第二控制端，依據所述驅動端上的電壓、所述第一控制電壓以及所述第二控制電壓以產生輸出信號，

其中N為正整數。

2.根據權利要求1所述的位移暫存裝置，其中所述至少二偏壓電壓包括第一偏壓電壓以及第二偏壓電壓，所述至少二控制信號產生器包括：

第一控制信號產生器，在當所述第一偏壓電壓為致能電壓電平時，所述第一控制信號產生器依據所述第一偏壓電壓將所述第一控制電壓拉低至所述柵極低電壓，并依據所述第一偏壓電壓拉高所述第二控制電壓；以及

第二控制信號產生器，在當所述第二偏壓電壓為致能電壓電平時，所述第二控制信號產生器依據所述第二偏壓電壓拉高所述第一控制電壓，并依據所述第二偏壓電壓將所述第二控制電壓拉低至所述柵極低電壓。

3.根據權利要求2所述的位移暫存裝置，其中所述至少二備援偏壓電壓包括第一備援偏壓電壓以及第二備援偏壓電壓，所述至少二備援控制信號產生器包括：

第一備援控制信號產生器，在當所述第一備援偏壓電壓為致能電壓電平時，所述第一備援控制信號產生器依據所述第一備援偏壓電壓將所述第一控制電壓拉低至所述柵極低電壓，并依據所述第一備援偏壓電壓拉高所述第二控制電壓；以及

第二備援控制信號產生器，在當所述第二備援偏壓電壓為致能電壓電平時，所述第二備援控制信號產生器依據所述第二備援偏壓電壓拉高所述第一控制電壓，并依據所述第二備援偏壓電壓將所述第二控制電壓拉低至所述柵極低電壓。

4.根據權利要求3所述的位移暫存裝置，其中所述第一控制信號產生器包括：，

第一晶體管，所述第一晶體管的第一端耦接至所述第一控制端、所述第一晶體管的控制端接收所述第一偏壓電壓，所述第一晶體管的第二端耦接至所述柵極低電壓；以及

第二晶體管，所述第二晶體管的第一端及控制端接收所述第一偏壓電壓，所述第二晶體管的第二端耦接至所述第二控制端；以及，

所述第一備援控制信號產生器包括：

第三晶體管，所述第三晶體管的第一端耦接至所述第一控制端、所述第三晶體管的控制端接收所述第一備援偏壓電壓，所述第三晶體管的第二端耦接至所述柵極低電壓；以及

第四晶體管，所述第四晶體管的第一端及控制端接收所述第一備援偏壓電壓，所述第四晶體管的第二端耦接至所述第二控制端；

其中，所述第三晶體管的寬長比大于所述第一晶體管的寬長比，所述第四晶體管的寬長比大于所述第二晶體管的寬長比。

5.根據權利要求4所述的位移暫存裝置，其中所述第一控制信號產生器以及所述第一備援控制信號產生器中，所述第三晶體管的寬長為所述第一晶體管的寬長比的整數倍，所述第四晶體管的寬長比為所述第二晶體管的寬長比的整數倍。