[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810102322.5
• 申請(qǐng)日: 2018-02-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108321159B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張永強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，劃分為顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，其特征在于，包括位于所述顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管和位于所述非顯示區(qū)域的第二薄膜晶體管；

其中，所述第二薄膜晶體管的尺寸小于所述第一薄膜晶體管的尺寸，所述第一薄膜晶體管的漏電流小于所述第二薄膜晶體管的漏電流；

所述陣列基板包括依次設(shè)置的第二有源層、第一絕緣層、第一導(dǎo)電層、第二絕緣層、第一有源層以及第二導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層包括位于所述顯示區(qū)域的第一柵極和位于所述非顯示區(qū)域的第二柵極；所述第二導(dǎo)電層包括位于所述顯示區(qū)域的第一源極、第一漏極和位于所述非顯示區(qū)域的第二源極、第二漏極，所述第一有源層與所述第一源極和所述第一漏極均接觸，所述第二有源層穿過(guò)所述第一絕緣層和所述第二絕緣層與所述第二源極和所述第二漏極電連接；

其中，所述第一柵極、所述第二絕緣層、所述第一有源層以及所述第一源極、所述第一漏極構(gòu)成所述第一薄膜晶體管；所述第二有源層、所述第一絕緣層、所述第二柵極、所述第二絕緣層以及所述第二源極、所述第二漏極構(gòu)成所述第二薄膜晶體管；

所述陣列基板還包括：設(shè)置在所述第一有源層表面上的刻蝕阻擋圖案；

所述陣列基板還包括位于所述顯示區(qū)域的觸控信號(hào)線和觸控電極，所述觸控信號(hào)線與所述觸控電極電連接，所述觸控電極與公共電極共用；

所述觸控信號(hào)線與所述第一薄膜晶體管的第一源極、第一漏極同層同材料；所述陣列基板還包括設(shè)置在所述第一薄膜晶體管上的第三絕緣層，所述觸控電極位于所述第三絕緣層上，且穿過(guò)所述第三絕緣層上的過(guò)孔與所述觸控信號(hào)線電連接；或者，

所述陣列基板還包括依次設(shè)置在所述第一薄膜晶體管上的第三絕緣層和第四絕緣層，所述觸控信號(hào)線位于所述第三絕緣層和所述第四絕緣層之間，所述觸控電極位于所述第四絕緣層上，且穿過(guò)所述第四絕緣層上的過(guò)孔與所述觸控信號(hào)線電連接；所述陣列基板還包括與所述觸控信號(hào)線平行的數(shù)據(jù)線，沿所述陣列基板的厚度方向，所述觸控信號(hào)線與所述數(shù)據(jù)線具有重疊區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶體管包括第一有源層，所述第一有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體；所述第二薄膜晶體管包括第二有源層，所述第二有源層的材料為多晶硅。

3.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板。