[發(fā)明專利]一種光靈敏控制芯片及控制方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810102079.7 | 申請日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108322206A | 公開（公告）日： | 2018-07-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 袁野;袁瓅;張國珠 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫豪幫高科股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/795 | 分類號(hào)： | H03K17/795 |
| 代理公司： | 無錫華源專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 張悅;聶啟新 |
| 地址： | 214161 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 集電極連接 驅(qū)動(dòng)電路 發(fā)射極連接 基極連接 靈敏控制 發(fā)射極 集電極 電阻 光耦驅(qū)動(dòng)電路 光接收電路 芯片 光耦電路 交流電壓 控制芯片 驅(qū)動(dòng)電流 驅(qū)動(dòng)能力 電路 替代 | ||
1.一種光靈敏控制芯片，其特征在于：包括驅(qū)動(dòng)電路；驅(qū)動(dòng)電路包括第一晶體管(Q1)、第二晶體管(Q2)、第三晶體管(Q3)和第四晶體管(Q4)；還包括第一電阻(R1)和第二電阻(R2)；第一晶體管(Q1)和第四晶體管(Q4)是PNP型晶體管；第二晶體管(Q2)和第三晶體管(Q3)是NPN型晶體管；第二晶體管(Q2)的發(fā)射極連接第四晶體管(Q4)的發(fā)射極；第二晶體管(Q2)的集電極連接第一晶體管(Q1)的基極；第二晶體管(Q2)的基極連接第一晶體管(Q1)的集電極；第一晶體管(Q1)的發(fā)射極連接第三晶體管(Q3)的發(fā)射極；第四晶體管(Q4)的基極連接第三晶體管(Q3)的集電極；第四晶體管(Q4)的集電極連接第三晶體管(Q3)的基極；第二晶體管(Q2)的集電極連接第四晶體管(Q4)的基極；第一電阻(R1)的兩端分別連接第二晶體管(Q2)的基極和發(fā)射極；第二電阻(R2)的兩端分別連接第三晶體管(Q3)的基極和發(fā)射極。
2.如權(quán)利要求1所述的光靈敏控制芯片，其特征在于：第一晶體管(Q1)的發(fā)射極和第四晶體管(Q4)的發(fā)射極面積是10μm2～1000μm2。
3.如權(quán)利要求1所述的光靈敏控制芯片，其特征在于：第二晶體管(Q2)的發(fā)射極和第三晶體管(Q3)的發(fā)射極面積是10μm2～2000μm2。
4.如權(quán)利要求1所述的光靈敏控制芯片，其特征在于：第一電阻(R1)和第二電阻(R2)的阻值是500Ω～1MΩ。
5.一種基于權(quán)利要求1所述的光靈敏芯片的控制方法，其特征在于包括：
1)第一晶體管(Q1)的發(fā)射極和第三晶體管(Q3)的發(fā)射極的公共端作為第一端口，第二晶體管(Q2)的發(fā)射極和第四晶體管(Q4)的發(fā)射極的公共端作為第二端口，在第一端口和第二端口之間加上220V的交流電源；
2)在交流電壓處于正半周的時(shí)候，當(dāng)有光入射到電路中的時(shí)候，第二晶體管(Q2)的基極或第一晶體管(Q1)的基極產(chǎn)生基極電流；
當(dāng)?shù)谝痪w管(Q1)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)，第一晶體管(Q1)的基極電流經(jīng)過第一晶體管(Q1)放大后，從第一晶體管(Q1)的集電極輸出至第二晶體管(Q2)的基極，第二晶體管(Q2)的基極電流加大；第二晶體管(Q2)的基極電流經(jīng)過第二晶體管(Q2)的放大后，從第二晶體管(Q2)的集電極輸出至第一晶體管(Q1)的基極，第一晶體管(Q1)的基極的電流加大；經(jīng)過多次循環(huán)，電流變大，從而使得該電路開啟；
當(dāng)?shù)诙w管(Q2)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)，電流循環(huán)加大的原理與所述第一晶體管(Q1)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)電流循環(huán)加大的原理相同；
3)當(dāng)交流電壓處于負(fù)半周的時(shí)候，當(dāng)有光入射到電路中的時(shí)候，第三晶體管(Q3)的基極或第四晶體管(Q4)的基極產(chǎn)生基極電流；
當(dāng)?shù)谌w管(Q3)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)，第三晶體管(Q3)的基極電流經(jīng)過第三晶體管(Q3)放大后，從第三晶體管(Q3)的集電極輸出至第四晶體管(Q4)的基極，第四晶體管(Q4)的基極電流加大；第四晶體管(Q4)的基極電流經(jīng)過第四晶體管(Q4)的放大后，從第四晶體管(Q4)的集電極輸出至第三晶體管(Q3)的基極，第三晶體管(Q3)的基極電流加大；經(jīng)過多次循環(huán)，電流變大，從而使得該電路開啟；
當(dāng)?shù)谒木w管(Q4)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)，電流循環(huán)加大的原理與所述四三晶體管(Q3)的基極產(chǎn)生基極電流時(shí)電流循環(huán)加大的原理相同。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫豪幫高科股份有限公司，未經(jīng)無錫豪幫高科股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810102079.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
