[發(fā)明專利]薄膜太陽能電池組件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810102076.3 | 申請日: | 2018-02-01 |
| 公開(公告)號: | CN108565303A | 公開(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙樹利;郭邐達;李新連;陳濤;楊立紅 | 申請(專利權(quán))人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0465 | 分類號: | H01L31/0465;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京華進京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 劉誠 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜太陽能電池組件 刻劃 背電極層 電池單元 絕緣部 基底 間隔設(shè)置 間距減小 轉(zhuǎn)換效率 死區(qū) 填充 串聯(lián) 貫穿 | ||
1.一種薄膜太陽能電池組件,其包括一基底及設(shè)置于所述基底上的多個串聯(lián)且相互間隔設(shè)置的電池單元,每一個所述電池單元包括依次設(shè)置的背電極層、光吸收層、緩沖層、及上電極層,其特征在于,相鄰的所述電池單元的背電極層之間設(shè)有貫穿所述背電極層的第一凹槽,所述第一凹槽內(nèi)填充有絕緣部,以使相鄰的電池單元的背電極層之間絕緣間隔,每一個所述電池單元開設(shè)有貫穿所述光吸收層及所述緩沖層的第二凹槽,所述上電極層覆蓋所述緩沖層并延伸至所述第二凹槽而接觸相鄰的所述電池單元的背電極層,進而將相鄰的所述電池單元串聯(lián),相鄰的所述電池單元之間開設(shè)有第三凹槽,所述第三凹槽將相鄰的所述電池單元的上電極層絕緣間隔。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述第三凹槽貫穿并間隔相鄰的所述電池單元的上電極層、緩沖層以及光吸收層。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述絕緣部采用掩模沉積方式填充至所述第一凹槽。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述絕緣部的材料為Si3N4、AlN、SiO2、Al2O3中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述第二凹槽的底部位于所述絕緣部與相鄰的所述電池單元的背電極層的交界處,位于所述第二凹槽內(nèi)的上電極層覆蓋部分絕緣部以及相鄰的電池單元的部分的背電極層。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,定義所述上電極層延伸至所述第二凹槽的部分與所述絕緣部的重疊區(qū)域的寬度為d1,所述絕緣部的寬度為m,m及d1滿足以下條件:m>d1>0。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述薄膜太陽能電池組件還包括至少一氧化鋅層,所述氧化鋅層設(shè)置于所述背電極層與光吸收層之間、光吸收層與緩沖層之間、或緩沖層與上電極層之間。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述第二凹槽及第三凹槽的寬度為50μm~80μm。
9.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述絕緣部的厚度大于等于所述背電極層的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池組件,其特征在于,所述光吸收層的材料為銅銦鎵硒、銅銦硒、銅銦鎵硫中的任意一種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





