[發明專利]一種硅基吸收型電光調制器及提高調制效率的方法在審
| 申請號： | 201810100488.3 | 申請日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號： | CN110109266A | 公開（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發明（設計）人： | 李冰;李營營 | 申請（專利權）人： | 上海硅通半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 張東梅;林高鋒 |
| 地址： | 200438 上海市楊浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電光調制器 波導區 吸收型 摻入 硅基 載流子遷移率 輕摻雜區 吸收系數 光波導 硅襯底 埋氧層 調制效率 光學損耗 摻雜N型 摻雜P型 | ||
1.一種硅基吸收型電光調制器，包括：
硅襯底；
形成在硅襯底上的埋氧層；
形成在埋氧層上的光波導；
所述光波導具有一個或多個輕摻雜區，所述輕摻雜區包括摻雜N型雜質的N型輕摻雜區和摻雜P型雜區的P型輕摻雜區，其中所述N型輕摻雜區與所述P型輕摻雜區重疊。
2.如權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述電光調制器進一步包括：形成在光波導兩側的N型重摻雜區和P型重摻雜區。
3.如權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述N型雜質選擇磷、砷、銻中的至少一種，所述P型雜質是硼。
4.如權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述輕摻雜區的摻雜濃度在1x1016cm-3-5x1016cm-3的范圍內。
5.如權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述輕摻雜區的形狀為下列形狀中的至少一種：任意封閉的曲線、任意封閉的曲線組合、任意封閉的線段組合、任意封閉的曲線和線段組合。
6.如權利要求5所述的電光調制器，其特征在于，所述輕摻雜區的形狀為圓形、橢圓形、跑道形、多邊形、凸形、凹形、梳形、I形和/或S形。
7.如權利要求6所述的電光調制器，其特征在于，所述多邊形為三角形、四邊形、五邊形、六邊形、八邊形和/或十二邊形。
8.如權利要求5-7所述的電光調制器，其特征在于，所述多個輕摻雜區呈單行、單列、多行、多列或多行多列排列。
9.如權利要求5-7所述的電光調制器，其特征在于，所述多個輕摻雜區的中點在所述光波導的中線上，或所述多個輕摻雜區以光波導的中線為軸線呈軸對稱。
10.如權利要求1所述的電光調制器，其特征在于，所述多個輕摻雜區不超過所述光波導的長和寬。
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