[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810100204.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-01 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110112211A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-08-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林信志;洪章響;黃嘉慶;林永豪;李家豪 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/41 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 賈磊;郭曉宇 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體裝置 化合物半導(dǎo)體層 漏極電極 柵極電極 保護(hù)層 源極電極 場(chǎng)板 制造 隔開(kāi) 基底 穿過(guò) | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一化合物半導(dǎo)體層，設(shè)置于一基底上；
一保護(hù)層，設(shè)置于該化合物半導(dǎo)體層上；
一源極電極、一漏極電極和一柵極電極，穿過(guò)該保護(hù)層且位于該化合物半導(dǎo)體層上，其中該柵極電極設(shè)置于該源極電極與該漏極電極之間；以及
多個(gè)場(chǎng)板，設(shè)置于該保護(hù)層上方且位于該柵極電極與該漏極電極之間，其中該些場(chǎng)板彼此隔開(kāi)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該柵極電極與該些場(chǎng)板隔開(kāi)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該柵極電極與該些場(chǎng)板由一相同的金屬材料層形成。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該些場(chǎng)板包括一第一場(chǎng)板和一第二場(chǎng)板，其中該第二場(chǎng)板位于該第一場(chǎng)板與該漏極電極之間。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從上視角度觀(guān)之，該柵極電極的一第一縱向長(zhǎng)度等于或小于該第一場(chǎng)板的一第二縱向長(zhǎng)度。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，從上視角度觀(guān)之，該第一場(chǎng)板包含一第一部分、一第二部分和一第三部分位于該第一部分與該第二部分之間，且該第三部分的兩端分別連接該第一部分和該第二部分，其中該第三部分的縱軸平行于該柵極電極的縱軸，該第一部分的縱軸和該第二部分的縱軸垂直于該第一部分的縱軸，且該第一部分和該第二部分朝向該源極電極延伸。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一摻雜的化合物半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置于該柵極電極與該化合物半導(dǎo)體層之間。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該些場(chǎng)板與該源極電極電連接。
9.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：
一化合物半導(dǎo)體層，設(shè)置于一基底上；
一第一保護(hù)層，設(shè)置于該化合物半導(dǎo)體層上；
一第二保護(hù)層，設(shè)置于該第一保護(hù)層上；
一源極電極、一漏極電極和一柵極電極，穿過(guò)該第二保護(hù)層和該第一保護(hù)層，且位于該化合物半導(dǎo)體層上，其中該柵極電極設(shè)置于該源極電極與該漏極電極之間；
一第一場(chǎng)板，設(shè)置于該柵極電極與該漏極電極之間，其中該第一場(chǎng)板穿過(guò)該第二保護(hù)層，且位于該第一保護(hù)層上；以及
一第二場(chǎng)板，設(shè)置于該漏極電極與該第一場(chǎng)板之間且位于該第二保護(hù)層上，其中該柵極電極、該第一場(chǎng)板和該第二場(chǎng)板彼此隔開(kāi)。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該柵極電極、該第一場(chǎng)板和該第二場(chǎng)板由一相同的金屬材料層形成。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第二保護(hù)層的材料不同于該第一保護(hù)層的材料。
12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第二保護(hù)層上方，其中該第一場(chǎng)板和該第二場(chǎng)板通過(guò)該內(nèi)連線(xiàn)結(jié)構(gòu)與該源極電極電連接。
13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一摻雜的化合物半導(dǎo)體區(qū)設(shè)置于該柵極電極與該化合物半導(dǎo)體層之間。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上形成一化合物半導(dǎo)體層；
在該化合物半導(dǎo)體層上形成一第一保護(hù)層；
形成一柵極電極穿過(guò)該第一保護(hù)層且位于該化合物半導(dǎo)體層上；
在該第一保護(hù)層上方形成多個(gè)場(chǎng)板，其中該些場(chǎng)板彼此隔開(kāi)；以及
形成一源極電極和一漏極電極穿過(guò)該第一保護(hù)層且位于該化合物半導(dǎo)體層上，其中該柵極電極位于該源極電極與該漏極電極之間，且該些場(chǎng)板位于該柵極電極與該漏極電極之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
