[發(fā)明專利]磁裝置和用于設(shè)置磁裝置的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810099861.8 | 申請(qǐng)日： | 2018-02-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN108376736A | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭洪植;羅曼·凱普斯肯;唐學(xué)體;德米特羅·埃帕爾科夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L43/08 | 分類號(hào)： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強(qiáng);尹淑梅 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自由層 磁裝置 活性層 易磁化軸 高阻尼 非磁性間隔層 被釘扎層 磁存儲(chǔ)器 平面方向 參考層 非零度 可切換 銳角 輸運(yùn) 自旋 垂直 施加 軌道 | ||
1.一種磁裝置，所述磁裝置包括：
多個(gè)磁性結(jié)，所述多個(gè)磁性結(jié)中的每個(gè)磁性結(jié)包括自由層、被釘扎層和非磁性間隔層，非磁性間隔層位于被釘扎層與自由層之間，自由層具有傾斜的易磁化軸和高阻尼常數(shù)中的至少一種，所述傾斜的易磁化軸與垂直于平面方向成非零度銳角，所述高阻尼常數(shù)為至少0.02；以及
至少一個(gè)自旋軌道相互作用活性層，與所述多個(gè)磁性結(jié)中的每個(gè)磁性結(jié)的自由層相鄰，所述至少一個(gè)自旋軌道相互作用活性層輸運(yùn)平面內(nèi)電流，所述至少一個(gè)自旋軌道相互作用活性層由于經(jīng)過所述至少一個(gè)自旋軌道相互作用活性層的電流而對(duì)自由層施加自旋軌道相互作用力矩，利用自旋軌道相互作用力矩使自由層是可切換的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁裝置，其中，自由層具有所述傾斜的易磁化軸，其中，所述非零度銳角為至少5度且不大于20度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁裝置，其中，所述非零度銳角不大于10度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁裝置，其中，自由層包括以下中的至少一種：
L10CoPt(111)層位于MgO/Pt(111)下層上的雙層，
Tbx(Fe50Co50)1-x層，其中，x大于0且小于1，
Fe3Pt/[FePt/MgO]2雙層，和
多層，所述多層包括選擇層、耦合層和垂直層，所述垂直層具有比平面外退磁能大的高垂直各向異性能，所述耦合層是非晶的且位于所述選擇層與所述垂直層之間，所述選擇層選自傾斜的層和平面內(nèi)各向異性層，所述傾斜的層具有與所述垂直于平面方向成附加非零度銳角的易磁化軸，所述平面內(nèi)各向異性層具有平面內(nèi)的優(yōu)選軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁裝置，其中，自由層還具有高阻尼常數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁裝置，其中，自由層包括至少一種摻雜物，所述至少一種摻雜物提供至少0.02的高阻尼常數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁裝置，其中，所述高阻尼常數(shù)為至少0.5。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁裝置，其中，自由層包括至少5原子百分比且不多于20原子百分比的所述至少一種摻雜物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁裝置，其中，所述至少一種摻雜物包括Pt、Ir、Os、Re、W、Bi、Sm、Ho、Dy、Er中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁裝置，其中，所述至少一種摻雜物選自Dy、W和Bi。
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