[發(fā)明專利]一種復(fù)合襯底及復(fù)合襯底的制作方法

有效

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• 申請日: 2018-02-01
• 公開（公告）號: CN108321081B
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙中陽
• 申請（專利權(quán)）人: 趙中陽
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L23/14
• 代理公司: 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11226
• 代理人: 常玉明;張?zhí)m海

1.一種采用鍵合工藝制備復(fù)合襯底的制作方法，所述制作方法包括：

設(shè)置有鍵合粘結(jié)輔助材料層，粘結(jié)輔助材料層包括一個或多個粘結(jié)加固區(qū)域，該粘結(jié)加固區(qū)域包括粘結(jié)輔助材料并混合了Ge材料和GaAs材料；

在GaAs襯底的鍵合表面設(shè)置鍵合粘結(jié)輔助材料層，粘結(jié)輔助材料層包括一個或多個粘結(jié)加固區(qū)域，在該粘結(jié)加固區(qū)域內(nèi)由鍵合粘結(jié)輔助材料混合了Ge材料和GaAs材料；

將GaAs襯底的鍵合面和Ge襯底的鍵合面進(jìn)行初步鍵合工藝，該初步鍵合工藝將GaAs襯底和Ge襯底結(jié)合在一起，得到鍵合過渡層；

采用第二鍵合工藝，在第二鍵合過程中采用第一激光加熱所述鍵合過渡層，經(jīng)過激光熱熔工藝處理所述粘結(jié)加固區(qū)域中的Ge與GaAs融熔一起，與其上下接觸的GaAs襯底和Ge襯底緊密結(jié)合在一起；

所述粘結(jié)加固區(qū)域中的Ge的含量為3mt%-12mt%，GaAs的含量為3mt%-12mt%，其余為粘結(jié)輔助材料。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，所述粘結(jié)輔助材料為釬料和/或TMMA，所述釬料為Sn-3.0Ag-0.5Cu?或?Sn-0.5Al。

3.如權(quán)利要求1或2所述的制作方法，采用網(wǎng)印印刷工藝將粘結(jié)加固區(qū)域圖案制備在GaAs襯底的鍵合面。

4.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述Ge襯底內(nèi)具有注氫層，所述注氫層通過激光加熱工藝進(jìn)行襯底剝離。

5.一種復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)由GaAs襯底和Ge襯底鍵合而成，其特征在于，該復(fù)合襯底包括：

在GaAs襯底的鍵合表面設(shè)置有鍵合粘結(jié)輔助材料層，粘結(jié)輔助材料層內(nèi)包括一個或多個粘結(jié)加固區(qū)域，該粘結(jié)加固區(qū)域包括粘結(jié)輔助材料并混合了Ge材料和GaAs材料；

所述復(fù)合襯底中的GaAs襯底的鍵合面和Ge襯底的鍵合面通過初步鍵合工藝結(jié)合在一起；所述粘結(jié)加固區(qū)域在第二鍵合工藝期間被激光加熱，經(jīng)過激光熱熔工藝處理所述粘結(jié)加固區(qū)中的Ge與GaAs融熔一起，與其上下接觸的GaAs襯底和Ge襯底緊密結(jié)合在一起；

所述粘結(jié)加固區(qū)域中的Ge的含量為3mt%-22mt%，GaAs的含量為5mt%-25mt%，其余為粘結(jié)輔助材料。

6.如權(quán)利要求5所述的復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)，所述粘結(jié)輔助材料為釬料和/或TMMA，所述釬料包括Sn-3.0Ag-0.5Cu?或?Sn-0.5Al。

7.如權(quán)利要求5或6所述的復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)，采用網(wǎng)印印刷工藝將粘結(jié)加固區(qū)域圖案制備在GaAs襯底的鍵合面。

8.如權(quán)利要求5或6所述的復(fù)合襯底結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述Ge襯底內(nèi)具有注氫層，所述注氫層通過激光加熱工藝進(jìn)行襯底剝離。