[發(fā)明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

在審

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• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108321208A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設計）人: 劉建宏
• 申請（專利權）人: 綿陽京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

本發(fā)明公開一種低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術領域，用于提高低溫多晶硅薄膜晶體管的使用可靠性。所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括：設置在襯底基板上的有源層，以及設置在所述有源層背上的層間絕緣層；所述層間絕緣層為光刻膠層。本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置用于有源矩陣有機發(fā)光二極體(AMOLED)顯示裝置和液晶(LCD)顯示裝置。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

低溫多晶硅薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱為TFT)作為開關器件在顯示技術領域發(fā)揮著重要的作用。常見的低溫多晶硅薄膜晶體管至少包括有柵極、源極、漏極以及有源層等，而按照柵極和有源層在襯底基板上的相對位置關系，可將低溫多晶硅薄膜晶體管劃分為頂柵結構的低溫多晶硅薄膜晶體管和底柵結構的低溫多晶硅薄膜晶體管。

目前，在襯底基板上制作形成頂柵結構的低溫多晶硅薄膜晶體管后，通常還需要對低溫多晶硅薄膜晶體管進行諸如高溫退火或高溫回火等的后續(xù)處理工序。但是，在頂柵結構的低溫多晶硅薄膜晶體管中，由于其層間絕緣層一般采用氧化物和/或氮化物制作形成且多為復合層，其柵極一般采用金屬材料制作形成，當實施高溫退火或高溫回火的后續(xù)處理工序后，柵極與層間絕緣層接觸的邊角區(qū)域容易產生熱應力集中，使得層間絕緣層無法良好覆蓋柵極，也易于出現層間絕緣層膜質斷裂以及復合層中上下層剝離的問題，從而導致低溫多晶硅薄膜晶體管所在的陣列基板出現柵極、源極及漏極短路的不良缺陷，嚴重影響低溫多晶硅薄膜晶體管的可靠使用。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板，用于提高低溫多晶硅薄膜晶體管的使用可靠性。

為了實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

本發(fā)明第一方面提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管，包括：設置在襯底基板上的有源層，以及設置在有源層上的層間絕緣層；所述層間絕緣層為光刻膠層。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜晶體管具有如下有益效果：

本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜晶體管，將層間絕緣層設置為光刻膠層，即采用光刻膠材料制作形成層間絕緣層，這樣與現有制作層間絕緣層的氧化物和/或氮化物材料相比，本發(fā)明用于制作層間絕緣層的光刻膠材料具有更好的粘附性、韌性及延展性，使得采用光刻膠材料制作的光刻膠層具有良好的柔性；當上述光刻膠層與低溫多晶硅薄膜晶體管內的柵極、源極、漏極配合使用時，如果存在有高溫退火或高溫回火的后續(xù)處理工序，那么利用光刻膠層良好的柔性，能夠在光刻膠層與相鄰的柵極、源極、漏極彼此之間較佳的完成熱應力匹配，從而避免因熱應力局部集中而出現光刻膠層與柵極、源極、漏極彼此間局部剝離以及光刻膠層膜質斷裂的問題，進而也就能夠避免低溫多晶硅薄膜晶體管所在的陣列基板出現柵極、源極及漏極短路的不良缺陷，有利于提高低溫多晶硅薄膜晶體管的使用可靠性。

當然，本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜晶體管，將層間絕緣層設置為光刻膠層，還可以在低溫多晶硅薄膜晶體管出現彎折狀態(tài)時，利用光刻膠層良好的柔性較佳的完成光刻膠層與相鄰的柵極、源極、漏極彼此之間的機械應力匹配，從而避免出現光刻膠層與柵極、源極、漏極彼此間局部剝離以及光刻膠層膜質斷裂的問題，有利于在低溫多晶硅薄膜晶體管用于柔性顯示面板時進一步提高其使用可靠性。

基于上述低溫多晶硅薄膜晶體管的技術方案，本發(fā)明第二方面提供一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，包括：

提供一襯底基板，在襯底基板上形成有源層；

在有源層上采用光刻膠材料形成層間絕緣層。

與現有技術相比，本發(fā)明提供的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法所能實現的有益效果，與上述技術方案提供的低溫多晶硅薄膜晶體管所能達到的有益效果相同，在此不做贅述。