[發明專利]NMOS器件及其制備方法以及顯示裝置

在審

• 申請號: 201810098930.3
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108288588A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 強朝輝;全祥皓
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/49
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 董天寶;于寶慶

1.一種NMOS器件的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成非晶硅層；

對所述非晶硅層進行處理，將其轉換為多晶硅層；

對所述多晶硅層進行刻蝕，形成半導體圖案；

在基板上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述半導體圖案；

在所述柵極絕緣層上形成第一導電層，經過刻蝕后在所述半導體圖案的上方形成第一柵極；

以所述第一柵極作為掩模，對所述半導體圖案進行第一摻雜；

在所述柵極絕緣層上形成第二導電層，經過刻蝕后在所述半導體圖案的上方形成第二柵極并且所述第二柵極包覆所述第一柵極；

以所述第二柵極作為掩模，對所述半導體圖案進行第二摻雜；

在所述柵極絕緣層上形成層間介電層；

形成貫穿所述層間介電層和所述柵極絕緣層的過孔；以及

形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別通過所述過孔與所述半導體圖案連接。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述基板上形成緩沖層，所述非晶硅層形成于所述緩沖層之上。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜為LDD摻雜，所述第二摻雜為N⁺摻雜。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一導電層的材料為Al，所述第二導電層的材料為Mo。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二柵極的寬度大于所述第一柵極的寬度。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述源極、所述漏極以及所述層間介電層上形成平坦化層，以及在所述平坦化層上形成電極層，所述電極層與所述源極或所述漏極連接。

7.一種NMOS器件，其特征在于，包括：

基板；

緩沖層，設置于所述基板上；

半導體圖案，設置于所述緩沖層上；

柵極絕緣層，設置于所述緩沖層上并覆蓋所述半導體圖案；

第一柵極，設置于所述柵極絕緣層上并位于所述半導體圖案的上方；

第二柵極，設置于所述柵極絕緣層上并包覆所述第一柵極；

層間介電層，設置于所述柵極絕緣層上并覆蓋所述第一柵極和所述第二柵極；以及

源極和漏極，通過貫穿所述層間介電層和所述柵極絕緣層的過孔與所述半導體圖案連接。

8.根據權利要求7所述的NMOS器件，其特征在于，所述第一柵極的材料為Al，所述第二柵極的材料為Mo。

9.根據權利要求7所述的NMOS器件，其特征在于，還包括平坦化層和電極層，所述平坦化層設置于所述源極、所述漏極以及所述層間介電層上，所述電極層設置于所述平坦化層上并且所述電極層與所述源極或所述漏極連接。

10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括根據權利要求7至9中任一項的NMOS器件。