[發(fā)明專利]一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810098385.8 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN108231862B | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳天一 | 申請(專利權(quán))人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。該陣列基板包括襯底基板;襯底基板上的子像素單元陣列;其中,第一顏色子像素單元、第二顏色子像素單元和第三顏色子像素單元依次位于子像素單元陣列的第3i+1列、第3i+2列和第3i+3列,且沿所述子像素單元陣列中行的延伸方向,相鄰兩列的所述子像素單元錯開預設距離;相同顏色的第一子像素單元和第二子像素單元在子像素單元陣列中行的延伸方向上偏移21/10個單位,在子像素單元陣列中列的延伸方向上偏移10/7個單位;并且在相同顏色的子像素單元中,第一子像素單元和第二子像素單元之間的距離最小,由此,實現(xiàn)各子像素單元在行的延伸方向和列的延伸方向分布更加均勻,進而降低生產(chǎn)工藝的難度,提高良品率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù),尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
衡量顯示裝置性能的一個很重要的指標是顯示分辨率,顯示分辨率的數(shù)值 是指顯示裝置所有可視面積上水平子像素單元和垂直子像素單元的數(shù)量,例如 800×600的顯示分辨率,是指在整個屏幕上水平顯示800個子像素單元,垂直 顯示600個子像素單元。
通常,顯示分辨率與子像素單元的排列方式及子像素單元的尺寸(主要指 寬長比)相關(guān),同時,設計子像素單元的排列方式及其尺寸時還需考慮實際生 產(chǎn)制造時的工藝制程是否能實現(xiàn)。現(xiàn)有的子像素單元的排列方式中,由于各子 像素單元在行的延伸方向的距離與其在列的延伸方向的距離相差較大,即各子 像素單元分布不均勻,使得實際生產(chǎn)制造中工藝難度較高,導致產(chǎn)品良品率較 低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及顯示裝置,以實現(xiàn)各子像素單元在 行的延伸方向和列的延伸方向分布更加均勻,進而降低生產(chǎn)工藝的難度,提高 良品率。
第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:
襯底基板;
形成在襯底基板上的子像素單元陣列,子像素單元陣列包括多個子像素單 元;多個子像素單元至少包括第一顏色子像素單元、第二顏色子像素單元和第 三顏色子像素單元;第一顏色子像素單元、第二顏色子像素單元和第三顏色子 像素單元中的每一種顏色的子像素單元均包括第一子像素單元和第二子像素單 元;
其中,第一顏色子像素單元位于子像素單元陣列的第3i+1列,第二顏色子 像素單元位于子像素單元陣列的第3i+2列,第三顏色子像素單元位于子像素單 元陣列的第3i+3列;且沿子像素單元陣列中行的延伸方向,相鄰兩列的子像素 單元錯開預設距離;其中,i為大于或者等于零的整數(shù);
相同顏色的第一子像素單元和第二子像素單元在子像素單元陣列中行的延 伸方向上偏移21/10個單位,在子像素單元陣列中列的延伸方向上偏移10/7個 單位;并且在相同顏色的子像素單元中,第一子像素單元和第二子像素單元之 間的距離最小。
第一方面,本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:
襯底基板;
形成在襯底基板上的子像素單元陣列,子像素單元陣列包括多個子像素單 元;多個子像素單元至少包括第一顏色子像素單元、第二顏色子像素單元和第 三顏色子像素單元;第一顏色子像素單元、第二顏色子像素單元和第三顏色子 像素單元中的每一種顏色的子像素單元均包括第五子像素單元和第六子像素單 元;
其中,第一顏色子像素單元位于子像素單元陣列的第3j+1行,第二顏色子 像素單元位于子像素單元陣列的第3j+2行,第三顏色子像素單元位于子像素單 元陣列的第3j+3行;且沿子像素單元陣列中列的延伸方向,相鄰兩行的子像素 單元錯開預設距離;其中,j為大于或者等于零的整數(shù);
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





