[發明專利]一種發光二極管、其制作方法及顯示裝置在審
| 申請號： | 201810097377.1 | 申請日： | 2018-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN108565349A | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發明（設計）人： | 鄭克寧 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭潤湘 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 光響應材料 折射率 第二電極 光取出層 第一電極 反式結構 順式結構 顯示裝置 發光層 外界光照條件 增強顯示裝置 光線出射 強光環境 驅動電壓 外界光照 待機 制作 室外 背離 折射 | ||
1.一種發光二極管，包括：第一電極、第二電極和位于所述第一電極與所述第二電極之間的發光層，以及位于所述第二電極背離所述發光層一側的光取出層，其特征在于，所述光取出層包括光響應材料。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述光取出層還包括光取出層本體材料，所述光響應材料摻雜在所述光取出層本體材料中構成單層結構的所述光取出層。
3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述光響應材料在所述光取出層本體材料中的摻雜質量比由所述光響應材料的反式結構與順式結構之間的比例確定。
4.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述光響應材料在所述光取出層本體材料中的摻雜質量比由所述光響應材料的順式結構轉變為反式結構的能力確定。
5.如權利要求1-4任一項所述的發光二極管，其特征在于，所述光響應材料為具有碳碳雙鍵、碳氮雙鍵或氮氮雙鍵的共軛化合物。
6.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述共軛化合物為偶氮苯或聚乙烯咔唑。
7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-6任一項所述的發光二極管。
8.一種如權利要求1-6任一項所述的發光二極管的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一電極；
在所述第一電極上依次形成發光層和第二電極；
在所述第二電極所在層上形成光取出層；其中，所述光取出層包括光響應材料。
9.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二電極所在層上形成光取出層，具體包括：
將所述光響應材料與光取出層本體材料放在不同的蒸鍍坩堝內，在真空中對所述蒸鍍坩堝就進行加熱，并通過調節蒸鍍速率來控制所述光響應材料在所述光取出層本體材料中的摻雜質量比。
10.如權利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二電極所在層上形成光取出層，具體包括：
將所述光響應材料與光取出層本體材料進行物理摻雜形成固體混合物，或將所述光響應材料與所述光取出層本體材料進行溶解混合形成液體混合物；
通過沉積的方式采用所述固體混合物或所述液體混合物在所述第二電極所在層上形成所述光取出層，或通過旋涂的方式采用所述液體混合物在所述第二電極所在層上形成所述光取出層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
