[發明專利]一種定位工藝缺陷的方法及裝置

有效

• 申請號: 201810096181.0
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108335990B
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發明（設計）人: 張利斌;韋亞一
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 黨麗;王寶筠

1.一種定位工藝缺陷的方法，其特征在于，包括：

獲得晶圓的掃描電子顯微圖像，所述電子顯微圖像具有待測結構圖案；

獲得所述待測結構圖案的邊界范圍；

獲得所述邊界范圍的相關系數分布，所述相關系數為所述邊界范圍內各位置點處待測結構圖案的像素分布與理想像素分布之間像素值的相關性數值；

確定可能相關系數閾值范圍，并將所述相關系數分布中處于所述可能相關系數閾值范圍之外的相關系數設置為背景色；

在所述相關系數閾值范圍內確定邊界相關系數閾值，將小于所述邊界相關系數閾值的相關系數所在位置處進行標識，以突出顯示缺陷所在位置。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掃描電子顯微圖像在晶圓上形成待測結構之后進行，形成所述待測結構的工藝為光刻工藝、刻蝕工藝、側墻沉積工藝、納米壓印工藝、極紫外工藝或定向自組裝工藝。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述待測結構圖案為線條結構、T型結構、拐角結構、線端結構或孔洞結構的圖案。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲得所述待測結構圖案的邊界范圍，包括：

獲得所述待測結構圖案的平均像素分布；

根據所述平均像素分布，獲得所述待測結構圖案的邊界范圍。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述待測結構圖案為線形圖案，所述根據所述平均像素分布，獲得待測結構圖案的邊界范圍，包括：

獲得所述待測結構圖案沿線條寬度方向的平均像素分布；

在所述平均像素分布中選擇相鄰的像素波谷點所在位置作為沿所述線條方向的邊界線所在位置，相鄰邊界線之間構成邊界范圍。

6.一種定位工藝缺陷的裝置，其特征在于，包括：

圖像獲取單元，用于獲得晶圓的掃描電子顯微圖像，所述電子顯微圖像具有待測結構圖案；

邊界范圍確定單元，用于獲得所述待測結構圖案的邊界范圍；

相關系數分布獲取單元，用于獲得所述邊界范圍的相關系數分布，所述相關系數為所述邊界范圍內各位置點處待測結構圖案的像素分布與理想像素分布之間像素值的相關性數值；

缺陷確定單元，用于確定可能相關系數閾值范圍，并將所述相關系數分布中處于所述可能相關系數閾值范圍之外的相關系數設置為背景色；在所述相關系數閾值范圍內確定邊界相關系數閾值，將小于所述邊界相關系數閾值的相關系數所在位置處進行標識，以突出顯示缺陷所在位置。

7.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述邊界范圍確定單元中，所述獲得所述待測結構圖案的邊界范圍，包括：

獲得所述待測結構圖案的平均像素分布；

根據所述平均像素分布，獲得所述待測結構圖案的邊界范圍。