[發(fā)明專利]一種在GIS運行下的超高頻局部放電監(jiān)測裝置的校準系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810095424.9 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN108196212A | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳華;梁星;侯興哲;王三強;米思蓓;胡曉銳;籍勇亮;陳文禮 | 申請(專利權)人: | 國網重慶市電力公司電力科學研究院;國家電網公司 |
| 主分類號: | G01R35/00 | 分類號: | G01R35/00;G01R31/12 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人: | 胡柯 |
| 地址: | 401123 重慶市渝北*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超高頻 局部放電監(jiān)測裝置 局部放電在線監(jiān)測 信號放大模塊 傳感器連接 校準系統(tǒng) 內置型 外置型 傳感器 局部放電監(jiān)測 信號發(fā)生模塊 抗電磁干擾 標準測量 參數指標 常規(guī)電氣 電力系統(tǒng) 模塊連接 現場條件 裝置主機 校準 信噪比 避開 測試 監(jiān)測 | ||
1.一種在GIS運行下的超高頻局部放電監(jiān)測裝置的校準系統(tǒng),其特征在于,所述校準裝置包括有:信號發(fā)生模塊、信號放大模塊、外置型UHF傳感器、內置型UHF傳感器、GIS管道、標準測量模塊、在線監(jiān)測裝置主機;
所述信號發(fā)生模塊能夠局部放電產生的超高頻電磁波信號;所述信號發(fā)生模塊與所述信號放大模塊連接,將超高頻電磁波信號傳輸給信號放大模塊進行放大調理采樣;
所述信號放大模塊與所述外置型UHF傳感器連接,將放大調理采樣后的信號轉換為UHF信號;
所述外置型UHF傳感器還與GIS管道連接,將外置型UHF傳感器對穩(wěn)態(tài)射頻電場強度的電壓響應VS通過UHF信號傳輸給所述GIS管道;
所述GIS管道還與所述標準測量模塊連接;將待校準的UHF信號傳輸給標準測量模塊,獲得一電壓響應參考值Va;
所述GIS管道與所述內置型UHF傳感器連接,所述內置型UHF傳感器還與超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置主機連接;讀取GIS管道中的被測在線監(jiān)測裝置對穩(wěn)態(tài)電場的響應Vb。
2.如權利要求1所述的現場環(huán)境下超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置的校準裝置,其特征在于,所述信號發(fā)生模塊包括有射頻信號發(fā)生模塊;所述射頻信號發(fā)生模塊連接如下:
FPGA基帶調制及控制模塊與可控增益功放模塊、中頻濾波及放大模塊和混頻器連接;所述基帶調制與控制模塊還與人機界面連接;
所述中頻濾波及放大模塊還與混頻器連接;所述混頻器還與所述射頻介質濾波器連接;所述射頻介質濾波器還與所述可控增益功放模塊連接;
所述可控增益功放模塊還與N型頭輸出連接。
3.如權利要求2所述的現場環(huán)境下超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置的校準裝置,其特征在于,所述射頻信號發(fā)生模塊還包括有信號調制電路;所述信號調制電路連接如下:
FPGA產生基帶信號,并將所述基帶信號傳輸至所述串/并轉換模塊,所述串/并轉換模塊與上行轉換器連接;
所述上行轉換器還包括有正交調制器、第一數模轉換DAC和DDS內核;
所述串/并轉換模塊與所述正交調制器連接,所述正交調制器還與所述第一數模轉換DAC連接;
還有一參考時鐘信號,所述參考時鐘信號與所述DDS內核連接,所述DDS內核還與所述正交調制器連接;
所述上行轉換器還與耦合射頻變壓器連接,所述耦合射頻變壓器還與所述SAW濾波器連接,所述SAW濾波器還與第二數模轉換模塊連接,所述第二數模轉換模塊與混頻器連接。
4.如權利要求2所述的現場環(huán)境下超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置的校準裝置,其特征在于,所述射頻信號發(fā)生模塊還包括有射頻本振信號;所述射頻本振信號連接如下:
參考晶振與頻率合成器連接,所述頻率合成器與低通濾波器LPF連接,所述低通濾波器LPF還與壓控振蕩器連接;所述壓控振蕩器還與所述頻率合成器連接,并形成本振信號輸出;
FPGA控制模塊還與所述頻率合成器連接。
5.如權利要求2所述的現場環(huán)境下超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置的校準裝置,其特征在于,所述FPGA基帶調制及控制模塊通過上行轉換器產生的70MHz的中頻調制信號與所述中頻濾波及放大模塊連接;
所述FPGA基帶調制及控制模塊通過頻率合成器和壓控振蕩器與所述混頻器連接。
6.如權利要求5所述的現場環(huán)境下超高頻局部放電在線監(jiān)測裝置的校準裝置,其特征在于,所述射頻信號發(fā)生模塊包括有混頻器,所述混頻器為MAX2671混頻芯片;所述上行轉換器為AD9856;所述頻率合成器為ADF4133;所述壓控振蕩器為MAX2750。
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