[發明專利]增加LED倒裝芯片發光面積的結構和制作方法

在審

• 申請號: 201810095082.0
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108155273A
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 華斌;張秀敏;閆曉密;黃慧詩
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司;江蘇新廣聯半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/38
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所(普通合伙) 32104
• 代理人: 曹祖良;屠志力

1.一種增加LED倒裝芯片發光面積的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，提供透光的襯底(1)，首先在襯底(1)上完成GaN外延層生長，GaN外延層包括自下而上形成的N型GaN層(2)，量子阱發光層(3)，P型GaN層(4)；然后在P型GaN層(4)上制備透明導電層(5)；

步驟S2，通過光刻和刻蝕工藝，至少將芯片一側的N型GaN層(2)暴露，形成N型臺面(201)；

步驟S3，通過光刻和刻蝕工藝，在芯片最外圈刻蝕GaN深溝(202)，將最外圈的GaN深溝(202)刻蝕到襯底(1)暴露；

步驟S4，通過鍍膜工藝，在芯片的正面和除襯底(1)之外的側面沉積一層絕緣鈍化層(6)；

步驟S5，通過光刻和刻蝕工藝，在絕緣鈍化層(6)設置開孔，包括位于透明導電層(5)表面的頂部開孔(601)、以及從N型臺面(201)正面邊緣延伸至N型GaN層(2)側面的側部開孔(602)；

步驟S6，通過光刻和剝離工藝，在絕緣鈍化層(6)開孔位置沉積金屬接觸電極；金屬接觸電極包括沉積在頂部開孔(601)的P電極(7)和沉積在側部開孔(602)的N電極(8)；P電極(7)與透明導電層(5)正面接觸，N電極(8)與N型臺面(201)的正面邊緣部分和N型GaN層(2)側面接觸。

2.如權利要求1所述的增加LED倒裝芯片發光面積的制作方法，其特征在于，

所述步驟S2和步驟S3互調。

3.如權利要求1所述的增加LED倒裝芯片發光面積的制作方法，其特征在于，

絕緣鈍化層(6)的材料是SiO2，Si3N4或DBR多層結構。

4.如權利要求1所述的增加LED倒裝芯片發光面積的制作方法，其特征在于，

襯底(1)采用藍寶石襯底。

5.一種增加LED倒裝芯片發光面積的結構，包括透光的襯底(1)，在襯底(1)上生長有GaN外延層，GaN外延層包括自下而上形成的N型GaN層(2)，量子阱發光層(3)，P型GaN層(4)；P型GaN層(4)上設有透明導電層(5)；其特征在于，

芯片至少一側的N型GaN層(2)上形成有N型臺面(201)；芯片最外圈刻蝕形成GaN深溝(202)，所述GaN深溝(202)延至襯底(1)；

在芯片的正面和除襯底(1)之外的側面設有絕緣鈍化層(6)；在絕緣鈍化層(6)設置開孔，包括位于透明導電層(5)表面的頂部開孔(601)、以及從N型臺面(201)正面邊緣延伸至N型GaN層(2)側面的側部開孔(602)；

在頂部開孔(601)設有P電極(7)，在側部開孔(602)設有N電極(8)；P電極(7)與透明導電層(5)正面接觸，N電極(8)與N型臺面(201)的正面邊緣部分和N型GaN層(2)側面接觸。

6.如權利要求5所述的增加LED倒裝芯片發光面積的結構，其特征在于，

絕緣鈍化層(6)兼作反射層。

7.如權利要求5所述的增加LED倒裝芯片發光面積的結構，其特征在于，

絕緣鈍化層(6)的材料是SiO2，Si3N4或DBR多層結構。

8.如權利要求5所述的增加LED倒裝芯片發光面積的結構，其特征在于，

芯片兩側的N型GaN層(2)上均形成有N型臺面(201)。

9.如權利要求5所述的增加LED倒裝芯片發光面積的結構，其特征在于，

襯底(1)采用藍寶石襯底。