[發明專利]表面處理銅箔以及使用其的集電體、電極及電池

有效

• 申請號: 201810094369.1
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108400338B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 新井英太;三木敦史
• 申請（專利權）人: JX金屬株式會社
• 主分類號: H01M4/66
• 分類號: H01M4/66;C25D1/04;C22C9/00
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;李兵霞

本發明公開了表面處理銅箔以及使用其的集電體、電極及電池。具體地，本發明提供一種電池用表面處理銅箔，其粗化粒子的脫落少，能夠獲得與活性物質的良好的密接性。本發明的電池用表面處理銅箔具有銅箔及位于所述銅箔的至少一表面側的表面處理層，所述表面處理層具有一次粒子層、二次粒子層，且依據JIS B0601 1994，使用波長405nm的激光顯微鏡對所述表面處理層表面進行測定時的十點平均粗糙度Rz為1.8μm以上。

技術領域

本發明涉及一種表面處理銅箔以及使用其的集電體、電極及電池。

背景技術

作為電池、尤其是二次電池的負極用或電極用集電體，使用壓延銅箔和電解銅箔。對于任一銅箔，均要求正極或負極活性物質與作為集電體的銅箔的高密接性。為了改善密接性，有進行對銅箔表面實施形成凹凸的表面處理的例子。例如，如專利文獻1所公開的那樣，通過用砂紙對銅箔表面進行研磨而形成凹凸，從而實現密接性的改善。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利第3733067號公報。

發明內容

[發明要解決的課題]

然而，存在如下問題：即便如專利文獻1所記載般單純地通過利用砂紙等研磨紙對銅箔進行研磨而形成凹凸，也無法獲得集電體銅箔與活性物質的充分的密接性。

另外，在銅箔設置由粗化鍍覆所獲得的粗化處理層而形成凹凸的情況下，有大量地產生粗化粒子層的粗化粒子的脫落的問題。

本發明的課題在于提供一種電池用表面處理銅箔，其粗化粒子的脫落少，能夠獲得與活性物質的良好的密接性。

[解決課題的技術手段]

本發明者等人對以往技術中未能獲得充分的密接性的理由努力進行研究，結果發現如下問題：使用硫酸銅鍍浴通過粗化處理而在銅箔表面形成的粗化粒子因肥大化的粗化粒子的堆積而不均勻。即，存在如下問題：粗化粒子以銅粉的形式從粗化粒子堆積的部分脫落，由此無法獲得集電體銅箔與活性物質的充分的密接性。因此，本發明者等人發現，通過控制在銅箔的表面側形成一次粒子層及二次粒子層所獲得的表面處理層的十點平均粗糙度Rz，而與活性物質的密接性變得良好。而且，本發明是基于所述見解而完成的。

即，本發明是一種電池用表面處理銅箔，其具有銅箔及位于所述銅箔的至少一表面側的表面處理層，且所述表面處理層從所述銅箔的表面側依序具有一次粒子層、二次粒子層，且依據JIS B0601 1994，使用波長405nm的激光顯微鏡對所述電池用表面處理銅箔的表面處理層表面進行測定時的十點平均粗糙度Rz為1.8μm以上。

另外，在本發明的一實施方式中，依據JIS B0601 1994，使用波長405nm的激光顯微鏡對所述電池用表面處理銅箔的表面處理層表面進行測定時的算術平均粗糙度Ra為0.26μm以上。

另外，在本發明的一實施形態中，所述一次粒子層含有選自由Cu、W、Ti、As、V、Mo、Ni、Co、Cr、Zn、P及Sn所組成的群中的一種以上。

另外，在本發明的一實施形態中，所述二次粒子層含有選自由Cu、W、Ti、As、V、Mo、Ni、Co、Cr、Zn、P及Sn所組成的群中的一種以上。

另外，在本發明的一實施形態中，所述表面處理層含有合計100μg/dm²以上的選自由Cu、W、Ti、As、V、Mo、Ni、Co、Cr、Zn、P及Sn所組成的群中的一種以上。

另外，在本發明的一實施形態中，所述表面處理層含有合計10000μg/dm²以下的選自由Cu、W、Ti、As、V、Mo、Ni、Co、Cr、Zn、P及Sn所組成的群中的一種以上。