[發明專利]一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法有效
| 申請號： | 201810093853.2 | 申請日： | 2018-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN108281349B | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 李新坤;莊海涵;梁德春;劉福民;吳浩越;王風嬌;徐宇新 | 申請（專利權）人： | 北京航天控制儀器研究所 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人： | 李晶堯 |
| 地址： | 100854 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 實現 陡直 度深硅 刻蝕 結構 光刻 工藝 方法 | ||
1.一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟(一)、將待刻蝕晶圓(301)水平放置在熱氮氣中；并在待刻蝕晶圓(301)的上表面涂覆光刻膠(303)；
步驟(二)、采用熱板對涂覆有光刻膠(303)的晶圓(301)進行烘烤；
步驟(三)、在光刻膠(303)的上表面進行曝光顯影，形成預先設計圖形的光刻膠掩膜(303)；
步驟(四)、采用氬等離子體對光刻膠掩膜(303)的外表面進行轟擊處理；
步驟(五)、在光刻膠掩膜(303)的上表面，采用氧等離子體對光刻膠掩膜(303)進行邊角削除；得到最終圖形成型的光刻膠掩膜(303)；
步驟(六)、通過最終圖形成型的光刻膠掩膜(303)，對待刻蝕晶圓(301)進行深硅刻蝕。
2.根據權利要求1所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述的步驟(一)中，熱氮氣的溫度為85-105℃。
3.根據權利要求2所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述的步驟(一)中，涂覆光刻膠(303)的厚度為2-5μm。
4.根據權利要求1所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述的步驟(二)中，熱板固定設置在晶圓(301)的下表面；熱板對晶圓(301)的底部進行烘烤。
5.根據權利要求4所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述的步驟(二)中，烘烤溫度為105-125℃；烘烤時間為5-10min。
6.根據權利要求1所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述的步驟(四)中，氬等離子體反應功率為500～2000W；轟擊時間為1-120s。
7.根據權利要求1所述的一種實現高陡直度深硅刻蝕結構的光刻工藝方法，其特征在于：所述步驟(五)中，氧等離子體反應功率為500-2000W，削除時間為3-30s。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
