[發明專利]OLED顯示器及其制作方法有效
| 申請號: | 201810093540.7 | 申請日: | 2018-01-31 |
| 公開(公告)號: | CN108288640B | 公開(公告)日: | 2020-04-10 |
| 發明(設計)人: | 劉圣 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人: | 孫偉峰;武岑飛 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示器 及其 制作方法 | ||
1.一種OLED顯示器,其特征在于,包括:
基板;
OLED器件,位于所述基板上,所述OLED器件包括紅光發光材料層、綠光發光材料層和藍光發光材料層;
封裝層,位于所述OLED器件上;
蓋板,位于所述封裝層之上;
帶通濾光器件,設置于所述OLED器件和所述蓋板之間,所述帶通濾光器件包括紅光帶通濾光膜、綠光帶通濾光膜和藍光帶通濾光膜,所述紅光帶通濾光膜與所述紅光發光材料層相對,所述綠光帶通濾光膜與所述綠光發光材料層相對,所述藍光帶通濾光膜與所述藍光發光材料層相對。
2.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述帶通濾光器件設置于所述OLED器件和所述封裝層之間。
3.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述帶通濾光器件設置于所述封裝層和所述蓋板之間。
4.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述封裝層由多層無機層和多層有機層交替疊層形成,所述帶通濾光器件設置于相鄰的無機層和有機層之間;或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的一個設置于相鄰的無機層和有機層之間,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的另外兩個設置于另外相鄰的無機層和有機層之間;或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜分別設置于不同的相鄰的無機層和有機層之間。
5.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述封裝層由多層無機層和多層有機層交替疊層形成;
當所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜由有機材料形成時,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜包含于同一有機層中,或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的一個包含于一有機層中,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的另外兩個包含于另一有機層中,或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜分別包含于不同的有機層中;
當所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜由無機材料形成時,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜包含于同一無機層中,或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的一個包含于一無機層中,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜中的另外兩個包含于另一無機層中,或者所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜分別包含于不同的無機層中。
6.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述紅光帶通濾光膜的透光波段為R1~R2,所述紅光發光材料層的發光波峰所對應的波長為R0,其中,R1=R0-20nm,R2=R0+20nm;
所述綠光帶通濾光膜的透光波段為G1~G2,所述綠光發光材料層的發光波峰所對應的波長為G0,其中,G1=G0-15nm,G 2=G0+15nm;
所述藍光帶通濾光膜的透光波段為B1~B2,所述藍光發光材料層的發光波峰所對應的波長為B0,其中,B1=B0-10nm,B 2=B0+10nm。
7.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述OLED顯示器還包括圓偏光片,所述圓偏光片位于所述OLED器件和所述帶通濾光器件之間。
8.根據權利要求1所述的OLED顯示器,其特征在于,所述帶通濾光器件還包括透光片,所述紅光帶通濾光膜、所述綠光帶通濾光膜和所述藍光帶通濾光膜形成于所述透光片上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





