[發(fā)明專利]一種室溫納米線光子數(shù)可分辨探測器及制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810092865.3
• 申請日: 2018-01-31
• 公開（公告）號: CN108258064A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡偉達(dá);駱文錦;王鵬;龍明生;陳效雙;陸衛(wèi)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18;B82Y40/00
• 代理公司: 上海滬慧律師事務(wù)所 31311
• 代理人: 李秀蘭

1.一種室溫納米線光子數(shù)可分辨探測器，包括襯底(1)，氧化物層(2)、納米線半導(dǎo)體(3)、金屬源極(4)和金屬漏極(5)，其特征在于：

所述的探測器結(jié)構(gòu)自下而上依次為：襯底(1)，氧化物層(2)、納米線半導(dǎo)體(3)、金屬源極(4)、金屬漏極(5)，其中：

所述的襯底(1)為重?fù)诫s的Si襯底；

所述的氧化物層(2)為SiO₂，厚度110±10納米；

所述的納米線半導(dǎo)體(3)為CdS納米線，溝道長度從0.1微米到5微米，直徑從30納米到300納米；

所述的金屬源極(4)和金屬漏極(5)為Cr和Au電極，下層Cr厚度為5-15納米，上層Au厚度為45-75納米。

2.一種制備如權(quán)利要求1所述室溫納米線可分辨光子數(shù)探測器的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)通過熱氧化法在襯底(1)上制備氧化物層(2)；

2)利用Au催化劑，采用化學(xué)氣相沉積方法在Si襯底上生長制備CdS納米線，使CdS納米線表面具有豐富的表面態(tài)。隨后采用物理轉(zhuǎn)移方法將CdS納米線(3)轉(zhuǎn)移至氧化物層(2)表面；

3)采用紫外光刻技術(shù)或者電子束曝光技術(shù)，結(jié)合熱蒸發(fā)及傳統(tǒng)剝離工藝在制備金屬源極(4)，漏極(5)，形成背柵結(jié)構(gòu)納米線半導(dǎo)體場效應(yīng)結(jié)構(gòu)器件。