[發(fā)明專利]Si基LED外延片及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810092370.0 | 申請日： | 2018-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN108110108B | 公開（公告）日： | 2020-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吳瓊 | 申請（專利權(quán)）人： | 福建兆元光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 35100 福州元創(chuàng)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 蔡學(xué)俊;丘鴻超 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 襯底 緩沖層 裂縫 發(fā)光二極管 熱膨脹系數(shù) 發(fā)光結(jié)構(gòu) 高溫環(huán)境 結(jié)晶缺陷 晶格失配 苛刻條件 裂紋產(chǎn)生 位錯缺陷 單一層 抗壓 制造 應(yīng)用 | ||
1.一種Si基LED外延片，其特征在于，包括：Si襯底、在所述Si襯底上形成的緩沖層、以及在所述緩沖層上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)；所述緩沖層包括在Si襯底上形成的第一AlN層、在第一AlN層上形成的GaN層、以及在GaN層上形成的第二AlN層；所述第一AlN層的形成和第二AlN層的形成是在200℃到400℃的溫度條件下進(jìn)行的；所述GaN層的形成是在500℃到700℃的溫度條件下進(jìn)行的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si基LED外延片，其特征在于：所述緩沖層的厚度為0.4 ?到2?。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Si基LED外延片，其特征在于：所述第一AlN層和第二AlN層的厚度相同，所述GaN層的厚度為第一AlN層厚度的兩倍。
4.一種Si基LED外延片的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟一：在Si襯底上形成第一AlN層；
步驟二：在所述第一AlN層上形成GaN層；
步驟三：在所述GaN層上形成第二AlN層；
步驟四：在所述GaN層上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；
所述第一AlN層的形成和第二AlN層的形成是在200℃到400℃的溫度條件下進(jìn)行的；
所述GaN層的形成是在500℃到700℃的溫度條件下進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的Si基LED外延片的制造方法，其特征在于：步驟一中的第一AlN層和步驟三中的第二AlN層厚度相同，且步驟二中的GaN層的厚度為第一AlN層厚度的兩倍。
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