[發明專利]一種靜電吸盤除靜電時的氦氣壓力控制系統及方法有效
| 申請號: | 201810092190.2 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108376659B | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 袁鵬華 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 俞滌炯 |
| 地址: | 201200 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 靜電 吸盤 氦氣 壓力 控制系統 方法 | ||
1.一種靜電吸附盤除靜電時的氦氣壓力控制系統,其特征在于,包括:
反應腔體,為一圓柱形結構;
靜電吸盤,設置于所述反應腔體底部;
第一氣體管路,連接所述靜電吸盤;
第二氣體管路,連接所述靜電吸盤;
第一壓力控制單元,通過一第一閥組連接所述第一氣體管路,所述第一壓力控制單元包括第一背面冷卻氣體壓力控制器和第一壓力控制器,所述第一壓力控制器用于控制所述第一氣體管路內的壓力值大于所述反應腔體中的壓力值;
第二壓力控制單元,通過一第二閥組連接所述第二氣體管路,所述第二壓力控制單元包括第二背面冷卻氣體壓力控制器和第二壓力控制器,所述第二壓力控制器用于控制所述第二氣體管路內的壓力值大于所述反應腔體中的壓力值;
冷卻氣體源,分別連接所述第一壓力控制單元和所述第二壓力控制單元;
分子泵,通過一第三閥組連接所述第一氣體管路,以及通過一第四閥組連接所述第二氣體管路。
2.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述分子泵還連接一干泵,所述干泵通過所述第三閥組連接所述第一氣體管路,以及通過所述第四閥組連接所述第二氣體管路。
3.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一閥組包括第一閥門和第二閥門,所述第一閥門連接所述第一背面冷卻氣體壓力控制器,所述第二閥門連接所述第一壓力控制器。
4.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第二閥組包括第三閥門和第四閥門,所述第三閥門連接所述第二背面冷卻氣體壓力控制器,所述第四閥門連接所述第二壓力控制器。
5.根據權利要求2所述的系統,其特征在于,所述第三閥組包括第五閥門和第六閥門,所述第五閥門連接所述分子泵,所述第六閥門連接所述干泵。
6.根據權利要求2所述的系統,其特征在于,所述第四閥組包括第七閥門和第八閥門,所述第七閥門連接所述分子泵,所述第八閥門連接所述干泵。
7.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第一壓力控制器的壓力工作范圍為1托以下。
8.根據權利要求1所述的系統,其特征在于,所述第二壓力控制器的壓力工作范圍為1托以下。
9.一種靜電吸附盤除靜電時氦氣壓力控制方法,其特征在于,采用如權利要求1~8中任一所述的壓力控制系統,包括以下步驟:
步驟S1、通過所述第一閥組控制所述第一背面冷卻氣體壓力控制器與所述第一氣體管路斷開連接,以及控制所述第一壓力控制器連接所述第一氣體管路;
步驟S2、通過所述第二閥組控制所述第二背面冷卻氣體壓力控制器與所述第二氣體管路斷開連接,以及控制所述第二壓力控制器連接所述第二氣體管路;
步驟S3、通過所述第三閥組和所述第四閥組控制所述分子泵對所述第一氣體管路和所述第二氣體管路進行抽氣;
步驟S4,通過所述第一壓力控制器使所述第一氣體管路內的壓力值大于所述反應腔體中的壓力值;
步驟S5,通過所述第二壓力控制器使所述第二氣體管路內的壓力值大于所述反應腔體中的壓力值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810092190.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:加熱裝置和基板處理裝置
- 下一篇:基板液處理裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





