[發明專利]微流控單細胞基因表達檢測芯片及其工作方法與制備方法在審
| 申請號: | 201810091807.9 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108060075A | 公開(公告)日: | 2018-05-22 |
| 發明(設計)人: | 孫浩;東輝 | 申請(專利權)人: | 福州大學 |
| 主分類號: | C12M1/38 | 分類號: | C12M1/38;C12M1/34;C12M1/00 |
| 代理公司: | 福州元創專利商標代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡學俊 |
| 地址: | 350108 福建省福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微流控 單細胞 基因 表達 檢測 芯片 及其 工作 方法 制備 | ||
1.一種微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:包括基底層、鈍化層、磁鐵層、流動層和氣動控制層;所述鈍化層設置在基底層上;所述磁鐵層設置在鈍化層上;所述流動層設置在磁鐵層上;所述氣動控制層設置在流動層上;基底層上設置有電極;所述氣動控制層劃分為生化分析單元陣列;所述生化分析單元陣列包括若干個生化分析單元;生化分析單元劃分為細胞捕捉區及生化反應區。
2.根據權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述氣動控制層上設置有第一多路復用器、第二多路復用器。
3.根據權利要求1所述的高通量微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述細胞捕捉區上設置有表面涂布特定引物的微磁珠。
4.根據權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述基底層上設置有微加熱器及溫度傳感器;所述微加熱器、溫度傳感器分別與電極連接。
5.根據權利要求4所述的高通量微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述微加熱器與溫度傳感器電阻比為1:2.7。
6.根據權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述流動層內設置蒸發抑制層。
7.根據權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片,其特征在于:所述生化分析單元陣列包括400個生化分析單元。
8.一種基于權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片的工作方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟S1:當細胞隨載流流動到檢測芯片上;單細胞將停留并由化學裂解液裂解,釋放出的mRNA由表面涂布特定引物的微磁珠捕捉;
步驟S2:若生化分析單元陣列上的若干個生化分析單元都完整完成mRNA捕捉,則啟動基底層上的微加熱器,完成反轉錄、實時熒光定量聚合酶連反應與靶向基因片段擴增;
步驟S3:靶向基因片段擴增信號由一熒光顯微鏡捕獲,該信號上傳至計算機并由計算機分析其灰度值;實時熒光定量聚合酶連反應信號由一熒光顯微鏡和一CCD采集,該信號上傳至計算機并由計算機分析。
9.根據權利要求8所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片的工作方法,其特征在于:微加熱器電壓輸入由一數字電源提供,溫度傳感器電阻由一數字萬用表讀取;細胞載流進樣由一微注射泵控制,氣動控制層由一氮氣氣壓控制。
10.一種如權利要求1所述的微流控單細胞基因表達檢測芯片的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟一:真空蒸鍍厚度20nm鉻和110nm金,再由濕法刻蝕得到微加熱器及溫度傳感器,微加熱器與溫度傳感器電阻比為1:2.7;
步驟二:旋涂厚度為80μm的負性光刻膠SU-8,由紫外曝光法在硅片基底上加工氣動控制層膠膜,澆鑄聚二甲基硅氧烷PDMS并固化得到最終氣動層;
步驟三:旋涂厚度為30μm的負性光刻膠SU-8,由紫外曝光法在硅片基底上加工氣動控制層膠膜,兩次澆鑄PDMS得到內置蒸發抑制層的流動層;
步驟四:借助PDMS打孔器,加工芯片流動層、氣動控制層的入口、出口;
步驟無:借助反應離子刻蝕RIE封裝步驟一至四得到的多層結構,得到檢測芯片。
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