[發明專利]一種納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201810090234.8
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108557757B
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: 秦春玲;李曼;張萌萌;王志峰;祝江賽
• 申請（專利權）人: 河北工業大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210
• 代理人: 趙鳳英

1.一種納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料，其特征為該復合材料為棒材，包括非晶基體、覆蓋在非晶基體上的納米多孔銀以及負載在納米多孔銀表面的多孔氧化銀納米片；所述的非晶基體為Cu_xZr_yAg_z合金成分，其中x，y，z為原子百分比，35 ≤ x ≤ 45，35≤ y ≤ 45，10 ≤ z ≤30，且x + y + z = 100；其中納米多孔銀層厚100~150 μm，韌帶寬20~110 nm，孔徑尺寸30~150 nm；納米片層厚50~110 nm，納米片長150~400 nm，寬10~100nm，厚5~10 nm；納米片上的納米孔洞尺寸為1~3 nm；

所述的納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料的制備方法，包括如下步驟：

第一步，脫合金處理Cu-Zr-Ag非晶棒材制備納米多孔銀

將直徑為Ф 1~2 mm的Cu-Zr-Ag非晶棒材置于腐蝕液中進行自由脫合金，得到納米多孔銀金屬；

其中，腐蝕液為濃度0.05~0.25 M 的HF和0.5~4 M的HNO₃溶液的混合溶液，混合溶液的體積比為HF溶液：HNO₃溶液 = 1:1；腐蝕時間為0.5~5 h；腐蝕溫度為25℃恒溫；

第二步，循環伏安法制備納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料

將鉑電極作為輔助電極，Ag/AgCl作為參比電極，上一步得到的納米多孔銀金屬作為工作電極，組合成三電極測試體系，進行循環伏安法制備；將制得的復合材料置于干燥箱中于60~100℃干燥1~2 h，得到納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料；

其中，循環伏安測試中，電壓窗口為0~0.6V，掃描速率100 mV s^-1，掃描周數10~50周；電解液為濃度為0.5~2 M的NaOH溶液；工作溫度為25℃恒溫。

2.如權利要求1所述的納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料的應用，其特征為用于殺除細菌或真菌。

3.如權利要求2所述的納米多孔銀負載多孔氧化銀納米片復合材料的應用，其特征為所述的細菌或真菌為大腸桿菌、金黃色葡萄球菌中的一種或兩種。