[發(fā)明專(zhuān)利]一種紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810089620.5
• 申請(qǐng)日: 2018-01-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108133993A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何苗;楊思攀;王潤(rùn);趙韋人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/12;H01L33/22
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張春水;唐京橋

1.一種紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：依次設(shè)置的n型電極、第一襯底、第一外延層和p型電極；

所述第一外延層包括依次疊加的緩沖及成核層、AlN/AlGaN超晶格和n型AlGaN層；

所述緩沖及成核層與所述第一襯底疊加；

所述緩沖及成核層為異質(zhì)結(jié)構(gòu)的BN層；

所述第一襯底為微型納米圖形化藍(lán)寶石襯底。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二外延層；

所述第二外延層包括依次疊加的量子阱有源區(qū)、電子阻擋層、p型AlGaN層和p型GaN覆蓋層；

所述第二外延層設(shè)置于所述第一外延層與所述p型電極之間；

所述量子阱有源區(qū)與所述n型AlGaN層疊加。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二外延層設(shè)置有空隙；

所述空隙貫穿于所述量子阱有源區(qū)、所述電子阻擋層、所述p型AlGaN層和所述p型GaN覆蓋層；

所述空隙為納米級(jí)空隙，所述納米級(jí)空隙的寬度由所述量子阱有源區(qū)至所述p型GaN覆蓋層依次變大。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：第二襯底；

所述第二襯底通過(guò)連接層設(shè)置于所述第二外延層與所述p型電極之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二襯底朝向所述p型電極的表面疊加有導(dǎo)電薄膜層；

所述導(dǎo)電薄膜層為石墨烯層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接層和所述第二外延層之間疊加有薄膜反射層和懸空導(dǎo)電層；

所述薄膜反射層和所述連接層接觸；

所述懸空導(dǎo)線層和所述p型GaN覆蓋層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一襯底、所述緩沖及成核層和所述AlN/AlGaN超晶格設(shè)置有凹槽；

所述凹槽貫穿于所述第一襯底、所述緩沖及成核層和所述AlN/AlGaN超晶格；

所述凹槽為梯形凹槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述梯形凹槽內(nèi)設(shè)置有隔離層和金屬栓；

所述隔離層環(huán)繞于所述金屬栓。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n型電極和所述第一襯底之間設(shè)置有n型歐姆接觸層；

所述p型電極和所述導(dǎo)電薄膜層之間設(shè)置有p型歐姆接觸層。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的紫外LED垂直芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二襯底為微型納米圖形化硅襯底。