[發明專利]背照式圖像傳感器及其形成方法

在審

• 申請號: 201810089386.6
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108258003A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 龍海鳳;李天慧;藤井光一
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 薛異榮;吳敏

一種背照式圖像傳感器及其形成方法，圖像傳感器包括：位于晶圓主體第一區內的第一感光器件和第一存儲節點；位于晶圓主體第一區中的第一槽，第一槽位于第一存儲節點上；位于第一槽中的第一附加反射結構，第一附加反射結構的側壁表面與第一附加反射結構底部表面之間呈銳角，第一附加反射結構包括第一附加反射層，至少第一附加反射結構的側壁表面暴露出第一附加反射層；位于第一槽底部的第一底反射層，第一底反射層至少位于第一附加反射結構側部的第一槽底部，第一附加反射層和第一底反射層在第一槽底部表面的投影完全覆蓋第一存儲節點；位于第一槽中的第一透光層。所述背照式圖像傳感器的光電轉換效率得到提高。

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種背照式圖像傳感器及其形成方法。

背景技術

背照式圖像傳感器是一種將光信號轉化為電信號的半導體器件。背照式圖像傳感器分為互補金屬氧化物(CMOS)背照式圖像傳感器和電荷耦合器件(CCD)背照式圖像傳感器。CMOS背照式圖像傳感器具有工藝簡單、易于其它器件集成、體積小、重量輕、功耗小和成本低等優點。因此，隨著圖像傳感技術的發展，CMOS背照式圖像傳感器越來越多地取代CCD背照式圖像傳感器應用于各類電子產品中。目前，CMOS背照式圖像傳感器已經廣泛應用于靜態數碼相機、數碼攝像機、醫療用攝像裝置和車用攝像裝置等。

CMOS背照式圖像傳感器包括前照式(FSI)背照式圖像傳感器和背照式(BSI)背照式圖像傳感器。在背照式背照式圖像傳感器中，光從背照式圖像傳感器的背面入射到背照式圖像傳感器中的感光二極管上，從而將光能轉化為電能。

然而，現有的背照式背照式圖像傳感器的性能有待提高。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種背照式圖像傳感器及其形成方法，以增加背照式圖像傳感器的光電轉換效率。

為解決上述問題，本發明提供一種背照式圖像傳感器，包括：晶圓主體，晶圓主體包括主體背面，晶圓主體包括像素單元區，像素單元區包括第一區；位于晶圓主體第一區內的第一感光器件；位于晶圓主體第一區內的第一存儲節點，且第一存儲節點位于第一感光器件的側部；位于晶圓主體第一區中的第一槽，第一槽的開口朝向主體背面，第一槽位于第一存儲節點上且未延伸至第一感光器件上；位于第一槽中的第一附加反射結構，第一附加反射結構的側壁表面與第一附加反射結構底部表面之間呈銳角，第一附加反射結構包括第一附加反射層，至少第一附加反射結構的側壁表面暴露出第一附加反射層；位于第一槽底部的第一底反射層，第一底反射層至少位于第一附加反射結構側部的第一槽底部，且第一附加反射層和第一底反射層在第一槽底部表面的投影完全覆蓋第一存儲節點；位于第一槽中的第一透光層，第一透光層位于第一附加反射結周圍且位于第一底反射層上。

可選的，所述第一附加反射結構的側壁表面與所述第一附加反射結構底部表面之間的夾角為30度至85度。

可選的，所述第一底反射層的材料為金屬；所述第一附加反射層的材料為金屬。

可選的，所述第一附加反射結構的形狀呈梯形結構。

可選的，所述第一底反射層僅位于第一附加反射結構側部的第一槽底部；第一附加反射結構的側壁表面和頂部表面均暴露出第一附加反射層。

可選的，所述第一底反射層位于第一附加反射結構側部的第一槽底部、以及第一附加反射結構的底部；僅第一附加反射結構的側壁表面暴露出第一附加反射層。

可選的，所述第一底反射層位于第一附加反射結構側部的第一槽底部、以及第一附加反射結構的底部；所述第一附加反射結構的側壁表面和頂部表面均暴露出第一附加反射層。

可選的，所述第一附加反射結構的形狀呈三棱錐體。

可選的，所述第一底反射層僅位于第一附加反射結構側部的第一槽底部；所述第一附加反射結構的側壁表面暴露出第一附加反射層。