[發明專利]顯示設備有效
| 申請號: | 201810089311.8 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN108511477B | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 林小郎;樂瑞仁;李冠鋒;陳嘉源 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨;侯奇慧 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.一種顯示設備,其特征在于,包括:
一顯示單元,包括:
一發光單元;以及
一光轉換層,設置于該發光單元上,其中該顯示單元在最高灰階的操作下具有一出射光,該出射光具有一出射光譜,該出射光譜從380納米至470納米的強度積分定義為一第一強度積分,該出射光譜從580納米至780納米的強度積分定義為一第二強度積分,且該第一強度積分對該第二強度積分的比例定義為一第一比例,該第一比例大于0%且小于或等于2.5%。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該出射光譜包括一第一強度峰值和一第二強度峰值,該第一強度峰值是該出射光譜從380納米至470納米的最大峰值,該第二強度峰值是該出射光譜從580納米至780納米的最大峰值,該第一強度峰值對該第二強度峰值的比例定義為一第二比例,且該第二比例大于0%且小于或等于5.5%。
3.根據權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該光轉換層包括一量子點材料、一熒光材料、一磷光材料或一色素材料。
4.根據權利要求1所述的顯示設備,其特征在于,該光轉換層包括一第一層和一第二層,該第二層設置在該第一層上,該第一層包括一量子點材料,且該第二層包括至少一色素材料。
5.一種顯示設備,其特征在于,包括:
一背光單元;
一光調變層,設置在該背光單元上;
一光轉換層,設置在該背光單元上;以及
一第一偏光層,設置在該光調變層和該光轉換層之間,其中一顯示單元是由該背光單元的至少一個部分、該光調變層的至少一個部分、該第一偏光層的至少一個部分以及該第一偏光層的至少一個部分組成,
其中該顯示單元在最高灰階的操作下具有一出射光,該出射光具有一出射光譜,該出射光譜從380納米至470納米的強度積分定義為一第一強度積分,該出射光譜從580納米至780納米的強度積分定義為一第二強度積分,且該第一強度積分對該第二強度積分的比例定義為一第一比例,該第一比例大于0%且小于或等于2.5%。
6.根據權利要求5所述的顯示設備,其特征在于,該出射光譜包括一第一強度峰值和一第二強度峰值,該第一強度峰值是該出射光譜從380納米至470納米的最大峰值,該第二強度峰值是該出射光譜從580納米至780納米的最大峰值,該第一強度峰值對該第二強度峰值的比例定義為一第二比例,且該第二比例大于0%且小于或等于5.5%。
7.根據權利要求5所述的顯示設備,其特征在于,還包括一第二偏光層,其中該光調變層設置在該第一偏光層和該第二偏光層之間。
8.根據權利要求7所述的顯示設備,其特征在于,該光調變層設置在該背光單元和該光轉換層之間。
9.根據權利要求7所述的顯示設備,其特征在于,該光轉換層設置在該背光單元和該光調變層之間。
10.根據權利要求5所述的顯示設備,其特征在于,該光轉換層包括一量子點材料、一熒光材料、一磷光材料或一色素材料。
11.根據權利要求5所述的顯示設備,其特征在于,該光轉換層包括一第一層以及一第二層,該第二層設置在該第一層上,該第一層包括一量子點材料,且該第二層包括至少一色素材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





