[發(fā)明專利]一種OLED顯示面板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810088923.5 | 申請日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108336094B | 公開(公告)日: | 2019-10-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張明;楊杰 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊賢卿 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陰極 柔性基板 有機(jī)發(fā)光層 承載基板 蒸鍍 制作 柔性封裝 制備 封裝 | ||
1.一種OLED顯示面板,其特征在于,包括:
承載基板;
形成在所述承載基板上的柔性基板;
形成在所述柔性基板上的TFT層;
形成在所述TFT層上的有機(jī)發(fā)光層;
形成在所述TFT層與所述有機(jī)發(fā)光層上的陰極;
所述柔性基板在對應(yīng)緊挨所述陰極的邊界之外的位置設(shè)有第一凹槽,所述TFT層在對應(yīng)所述第一凹槽的位置設(shè)有第二凹槽,所述第二凹槽用于收集在蒸鍍所述陰極時(shí)產(chǎn)生的微粒;
形成在所述TFT層、所述有機(jī)發(fā)光層和所述陰極上的封裝薄膜,所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述封裝薄膜的邊界在所述柔性基板上的投影與所述陰極的邊界在所述柔性基板上的投影之間,且所述第二凹槽在所述柔性基板上的投影與所述第一凹槽重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一凹槽為圍繞所述陰極的環(huán)狀凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度為所述柔性基板厚度的1/3~2/3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述柔性基板厚度為1~50微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一凹槽和所述第二凹槽的寬度大于10微米。
6.一種OLED顯示面板的制作方法,包括:
提供承載基板;
在所述承載基板上形成柔性基板,并在所述柔性基板上的預(yù)定位置形成第一凹槽;
在所述柔性基板上制作TFT層,并在所述TFT層上對應(yīng)所述第一凹槽的位置形成第二凹槽;
在所述TFT層上制作有機(jī)發(fā)光層;
在所述TFT層與所述有機(jī)發(fā)光層上蒸鍍陰極,通過所述第二凹槽收集在蒸鍍所述陰極時(shí)產(chǎn)生的微粒,所述第一凹槽和所述第二凹槽位于緊挨所述陰極的邊界之外;
所述在所述柔性基板上的預(yù)定位置形成第一凹槽具體包括:
在所述柔性基板上涂布光阻材料形成光阻層;
對所述光阻層采用曝光顯影工藝進(jìn)行圖案化處理,形成間隔排列的多個(gè)第一光阻區(qū)域和多個(gè)第二光阻區(qū)域,所述第一光阻區(qū)域與所述第二光阻區(qū)域之間形成光阻間隔槽;
以所述間隔排列的多個(gè)所述第一光阻區(qū)域和多個(gè)所述第二光阻區(qū)域?yàn)檠谀#瑢λ鋈嵝曰暹M(jìn)行刻蝕,在對應(yīng)所述光阻間隔槽的位置刻蝕形成所述第一凹槽;
所述制作方法還包括:
在所述TFT層、所述有機(jī)發(fā)光層和所述陰極上形成封裝薄膜,所述第一凹槽和所述第二凹槽位于所述封裝薄膜的邊界在所述柔性基板上的投影與所述陰極的邊界在所述柔性基板上的投影之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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