[發(fā)明專(zhuān)利]包括溝槽的半導(dǎo)體器件和制造半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810088622.2
• 申請(qǐng)日: 2013-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108054144B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.科托羅格亞;H-P.費(fèi)爾斯?fàn)?/a>;Y.加夫利納;F.J.桑托斯羅德里古斯;H-J.舒爾策;G.賽貝特;A.R.施特格納;W.瓦格納
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8234
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/08;H01L29/423
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王健;申屠偉進(jìn)

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

形成在第一溝槽中包括第一柵電極的第一晶體管單元；

形成在第二溝槽中包括第二柵電極的第二晶體管單元，其中第一和第二柵電極被電連接；

在第一和第二溝槽之間形成第三溝槽，其中第三溝槽從半導(dǎo)體主體的第一側(cè)比第一和第二溝槽更深地延伸到半導(dǎo)體主體中；

在第三溝槽中形成覆蓋第三溝槽的底側(cè)和側(cè)壁的電介質(zhì)；以及

通過(guò)引入摻雜劑通過(guò)以下中的至少一個(gè)來(lái)形成半導(dǎo)體區(qū)：

（i）第一和第二溝槽的底側(cè)，以及

（ii）第三溝槽的底側(cè)；

其中，所述半導(dǎo)體區(qū)鄰接相應(yīng)溝槽的底側(cè)，并且包括比漂移區(qū)更高的凈摻雜濃度，所述漂移區(qū)鄰接所述半導(dǎo)體主體的主體區(qū)的底側(cè)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，通過(guò)經(jīng)由掩模離子注入來(lái)引入摻雜劑而形成所述半導(dǎo)體區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，通過(guò)在填充第三溝槽之前引入摻雜劑通過(guò)第三溝槽的底側(cè)進(jìn)入到半導(dǎo)體主體中而形成所述半導(dǎo)體區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，所述引入摻雜劑不包括引入摻雜劑通過(guò)第一和第二溝槽的底側(cè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述漂移區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，并且所述主體區(qū)具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型；其中，所述摻雜劑是第一導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑。

6.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中，利用至少一種介電材料填充第三溝槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，通過(guò)在填充第一和第二溝槽之前引入摻雜劑通過(guò)第一和第二溝槽的底側(cè)進(jìn)入到半導(dǎo)體主體中而形成所述半導(dǎo)體區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中，所述引入摻雜劑不包括引入摻雜劑通過(guò)第三溝槽的底側(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述漂移區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，并且所述主體區(qū)具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型；其中，所述摻雜劑是第二導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜劑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中形成第一、第二和第三溝槽包括：在第一側(cè)處形成圖案化的掩模，其中所述圖案化的掩模包括第一類(lèi)型的開(kāi)口，第一類(lèi)型的開(kāi)口具有比第二類(lèi)型的開(kāi)口大的橫向?qū)挾龋灰约拔g刻第一和第二溝槽通過(guò)第二類(lèi)型的開(kāi)口，并且蝕刻第三溝槽通過(guò)第一類(lèi)型的開(kāi)口。

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管單元，其在第一溝槽中包括第一柵電極；

第二晶體管單元，其在第二溝槽中包括第二柵電極，其中第一和第二柵電極被電連接；

在第一和第二溝槽之間的第三溝槽，其中第三溝槽從半導(dǎo)體主體的第一側(cè)比第一和第二溝槽更深地延伸到半導(dǎo)體主體中；

第三溝槽中的電介質(zhì)，其覆蓋第三溝槽的底側(cè)和壁；以及

至少一個(gè)半導(dǎo)體區(qū)，在以下中的至少一個(gè)處形成：

（i）第一和第二溝槽的底側(cè)，以及

（ii）第三溝槽的底側(cè)；

其中，所述半導(dǎo)體區(qū)鄰接相應(yīng)溝槽的底側(cè)，并且包括比漂移區(qū)更高的凈摻雜濃度，所述漂移區(qū)鄰接所述半導(dǎo)體主體的主體區(qū)的底側(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，

其中所述漂移區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，并且所述主體區(qū)具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型；

其中第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二半導(dǎo)體區(qū)鄰接第一和第二溝槽的底側(cè)。

13.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，

其中所述漂移區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型，并且所述主體區(qū)具有與第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型；

其中第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一半導(dǎo)體區(qū)鄰接第三溝槽的底側(cè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中第三溝槽在第一側(cè)處比第一和第二溝槽寬。