[發(fā)明專利]一種硒化銻薄膜制備方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810088288.0 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN108493276A | 公開（公告）日： | 2018-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李志強(qiáng);梁曉楊;麥耀華;陳靜偉;李剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 河北大學(xué) |
| 主分類號： | H01L31/0445 | 分類號： | H01L31/0445;H01L31/0392;C23C14/35 |
| 代理公司： | 石家莊國域?qū)＠虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112 | 代理人： | 孫麗紅;胡澎 |
| 地址： | 071002 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硒化銻 薄膜 熱蒸發(fā) 濺射系統(tǒng) 生長室 室內(nèi) 濺射 硒源 生長 氣壓檢測系統(tǒng) 抽真空系統(tǒng) 化學(xué)計量比 薄膜化學(xué) 薄膜制備 固態(tài)硒源 進(jìn)氣系統(tǒng) 冷卻系統(tǒng) 蒸發(fā)固體 襯底臺 加熱絲 濺射靶 襯底 盛放 制備 坩堝 應(yīng)用 蒸發(fā) 體內(nèi) 優(yōu)化 | ||
1.一種硒化銻薄膜制備方法，其特征在于，所述方法是：
（1）采用射頻磁控濺射工藝在待制膜基片上濺射制備硒化銻薄膜：選擇Ar氣為濺射氣體，所用靶材為硒化銻陶瓷靶，設(shè)定濺射功率密度為0.6~5W/cm2、濺射氣壓為0.2~10Pa；
（2）在濺射制備硒化銻薄膜的同時進(jìn)行在線硒補(bǔ)償，所述在線硒補(bǔ)償是濺射的同時采用熱蒸發(fā)工藝蒸發(fā)固態(tài)硒源，所述硒源為高純硒顆粒或硒粉末，熱蒸發(fā)坩堝溫度設(shè)定為80~160℃，襯底溫度設(shè)定為150~500℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硒化銻薄膜制備方法，其特征在于，所述硒化銻靶材為符合化學(xué)計量比的硒化銻或?yàn)槲⒏晃蜇毼奈R靶材。
3.一種制備硒化銻薄膜的裝置，其特征是，所述裝置是在生長室內(nèi)設(shè)有濺射系統(tǒng)和熱蒸發(fā)系統(tǒng)；所述濺射系統(tǒng)是在所述生長室內(nèi)設(shè)置有帶加熱絲的旋轉(zhuǎn)襯底臺和設(shè)置于襯底臺下方的濺射靶以及冷卻系統(tǒng)、進(jìn)氣系統(tǒng)、抽真空系統(tǒng)和氣壓檢測系統(tǒng)；所述熱蒸發(fā)系統(tǒng)是在所述生長室內(nèi)設(shè)置有用于盛放固態(tài)硒源的熱蒸發(fā)坩堝，所述熱蒸發(fā)坩堝帶有加熱系統(tǒng)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
