[發明專利]使用打磨參考單元的MRAM電路及其讀寫方法有效
| 申請號： | 201810088284.2 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN110097904B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發明（設計）人： | 戴瑾;郭一民;王春林 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 打磨 參考 單元 mram 電路 及其 讀寫 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種使用打磨參考單元的MRAM電路的讀寫方法，包括：一MRAM陣列，所述MRAM陣列具有參考單元陣列，所述參考單元陣列具有多列的參考單元，其特征在于，還包括寫所述參考單元的寫電路、以及控制所述寫電路的隨機控制電路；還包括一參考單元寄存器，所述MRAM陣列中每一行具有N個字，每一行對應一組所述參考單元陣列中的所述參考單元；所述參考單元寄存器記錄所述參考單元的配置信息；進行所述MRAM陣列中的存儲單元寫操作，同時所述隨機控制電路以1/N的概率觸發所述參考單元進行寫操作；參考單元寫操作包括：所述參考單元寄存器將所述配置信息寫入對應所述存儲單元的所述參考單元；所述配置信息包括：每一所述參考單元的高低組態信息。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海磁宇信息科技有限公司，未經上海磁宇信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810088284.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
