[發明專利]一種GaAs系多結太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 201810088020.7
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108288657A
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 劉偉;陳丹丹;劉偉文;吳珠興;盛東洋
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0687;H01L21/3065;H01L21/304
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷;王寶筠

1.一種GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：

提供太陽能電池外延片，所述太陽能電池外延片包括相對設置的正面和背面；

在所述正面制作形成正面電極；

采用電感耦合等離子體蝕刻工藝在所述正面進行半蝕刻切割，得到半蝕刻切割道；

蒸鍍減反射膜，覆蓋所述正面；

在所述背面制作形成背面電極；

采用薄刀切割所述背面，切割位置與所述半蝕刻切割道對應，以貫穿所述太陽能電池外延片，形成分離的太陽能電池。

2.根據權利要求1所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，所述半蝕刻切割道的寬度為20μm-30μm，所述半蝕刻切割道的深度為10μm-20μm，均包括端點值。

3.根據權利要求1所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，在所述采用電感耦合等離子體蝕刻工藝在所述正面進行半蝕刻切割，得到半蝕刻切割道之后，在所述蒸鍍減反射膜，覆蓋所述正面之前，還包括：

采用射頻等離子對所述半蝕刻切割道進行鈍化。

4.根據權利要求3所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，所述采用射頻等離子對所述半蝕刻切割道進行鈍化，具體包括：

采用HBr、H₂S、HCL、SF₆、CFx、CHxFy、Ar、N₂中的一種或多種氣體，其中，x、y為H、F原子數量，x+y＝4；通過射頻放電電離形成等離子體，對所述半蝕刻切割道的側面進行等離子鈍化，形成鈍化層。

5.一種GaAs系多結太陽能電池，其特征在于，采用權利要求1-4任意一項所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法制作形成。

6.一種GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：

提供太陽能電池外延片，所述太陽能電池外延片包括相對設置的正面和背面；

采用電感耦合等離子體蝕刻工藝在所述背面進行第一半蝕刻切割，得到第一半蝕刻切割道；

在所述背面制作形成背面電極；

將所述背面電極粘貼到臨時基板上；

在所述正面制作形成正面電極；

采用電感耦合等離子體蝕刻工藝在所述正面進行第二半蝕刻切割，得到第二半蝕刻切割道，所述第二半蝕刻切割道的位置與所述第一半蝕刻切割道的位置對應；

蒸鍍減反射膜，覆蓋所述正面；

去除所述臨時基板，形成分離的多個太陽能電池。

7.根據權利要求6所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，在得到所述第一半蝕刻切割道之后還包括：

采用射頻等離子對所述第一半蝕刻切割道進行鈍化；

在得到所述第二半蝕刻切割道之后還包括：

采用射頻等離子對所述第二半蝕刻切割道進行鈍化。

8.根據權利要求7所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，采用射頻等離子對所述第一半蝕刻切割道和所述第二半蝕刻切割道進行鈍化，具體包括：

采用HBr、H₂S、HCL、SF₆、CFx、CHxFy、Ar、N₂中的一種或多種氣體，其中，x、y為H、F原子數量，x+y＝4；通過射頻放電電離形成等離子體，對所述第一半蝕刻切割道和所述第二半蝕刻道的側面進行等離子鈍化，形成鈍化層。

9.根據權利要求6所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，所述第一半蝕刻切割道的深度為所述太陽能電池外延片厚度的一半。

10.根據權利要求9所述的GaAs系多結太陽能電池制作方法，其特征在于，所述第二半蝕刻切割道的深度小于所述太陽能電池外延片厚度的一半。