[發明專利]一種高介電常數低損耗微波介質陶瓷及其制備方法在審
| 申請號： | 201810087894.0 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN108264348A | 公開（公告）日： | 2018-07-10 |
| 發明（設計）人： | 傅邱云;王耿;周東祥;鄭志平;羅為 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/50 | 分類號： | C04B35/50;C04B35/46;C04B35/622 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高介電常數 低損耗微波介質陶瓷 主晶相 制備 化學表達式 零溫度系數 品質因數 置換 | ||
1.一種高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，包括主晶相，所述主晶相的化學表達式為Ba6-3x(PrySm1-y)8+2xTi18O54，其中，1/2≤x≤2/3，0≤y≤0.25。
2.如權利要求1所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的介電常數為78.1～83.8。
3.如權利要求2所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的介電常數優選為80.2～83.8。
4.如權利要求1所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的品質因數為7100GHz～9700GHz。
5.如權利要求4所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的品質因數優選為9000GHz～9700GHz。
6.如權利要求1所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的諧振頻率溫度系數為-11.5ppm/℃～+5.1ppm/℃。
7.如權利要求6所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的諧振頻率溫度系數優選為-3.2ppm/℃～+3.2ppm/℃。
8.如權利要求1-7任一所述的一種高介電常數低損耗微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，包括：
(1)按照化學表達式為Ba6-3x(PrySm1-y)8+2xTi18O54的化學計量比稱取BaCO3、Pr6O11、Sm2O3、TiO2，其中，1/2≤x≤2/3，0≤y≤0.25，混合后依次進行球磨、烘干、過篩，得到第一混合料；
(2)將第一混合料在1100℃～1200℃下預燒2.5h～3.5h，得到預燒后的粉料，對預燒后的粉料依次進行球磨和烘干，得到預燒陶瓷粉體；
(3)向預燒陶瓷粉體中加入粘結劑后，在50MPa～100MPa的壓力下壓制，得到坯體，坯體的直徑為8mm～12mm，坯體的厚度為4mm～6mm；將坯體在1350℃～1425℃下燒結2h～6h，得到微波介質陶瓷。
9.如權利要求8所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述球磨為濕法球磨。
10.如權利要求8所述的高介電常數低損耗微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述粘結劑為聚乙烯醇或者石蠟。
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