[發明專利]晶圓結構

在審

• 申請號: 201810087616.5
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN109786435A
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 徐周和;劉育全;楊毓儒;盧智宏;張杰雄
• 申請（專利權）人: 奕力科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L23/544;H01L23/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種晶圓結構，其特征在于，包括：

基底，具有多條將所述基底分隔成多個芯片單元的切割道；

多個測試接墊，配置于多條切割道內，各所述測試接墊包括：

多層金屬層，彼此分離且各所述金屬層包括至少一金屬塊；

多個導電通孔，電性連接任兩相鄰的所述金屬層的多個金屬塊；以及

測試電極，直接接觸最外層的所述金屬層，其中至少一層以上的所述金屬層的所述金屬塊于所述基底上的正投影面積小于所述測試電極于所述基底上的正投影面積；以及

多個輔助密封構件，配置于所述多條切割道內，且分別位于所述多個測試接墊的周圍。

2.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，各所述金屬層的所述至少一金屬塊包括多個金屬塊，由所述測試電極俯視，各所述金屬層的所述多個金屬塊排列成對稱圖案或非對稱圖案。

3.根據權利要求2所述的晶圓結構，其特征在于，由所述測試電極俯視，所述多個金屬塊具有相同大小的矩形形狀或至少具有二種以上不同大小的矩形形狀。

4.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，所述測試電極具有至少一接觸部，所述接觸部直接接觸最外層的所述金屬層的所述金屬塊。

5.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，所述測試電極于所述基底上的正投影完全覆蓋或局部覆蓋所述多層金屬層的所述多個金屬塊于所述基底上的正投影。

6.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，所述多個導電通孔于所述基底上的正投影完全重疊或部分重疊。

7.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，各所述輔助密封構件包括：

多層輔助金屬層，彼此分離且分別對應所述多層金屬層設置，其中各所述輔助金屬層與對應的所述金屬層屬同一膜層；

多個擋墻，連接至任兩相鄰的所述多層輔助金屬層，且對應環繞電性連接所述多層金屬層的所述多個導電通孔，其中各所述擋墻與對應的所述導電通孔屬同一膜層；

輔助電極，直接接觸最外層的所述輔助金屬層，其中各所述輔助電極與所述測試電極屬同一膜層；以及

輔助主動區，分別對應所述多個輔助密封構件配置且位于所述基底上，其中所述多個檔墻連接所述多個輔助金屬層與對應所述輔助主動區。

8.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，還包括：

第一保護層，覆蓋最外層的所述金屬層與最外層的所述輔助金屬層，其中所述第一保護層具有至少一第一開口以及至少一第二開口，所述測試電極配置于所述第一保護層上且通過所述第一開口直接接觸最外層的所述金屬層，而所述輔助電極配置于所述第一保護層上且通過所述第二開口直接接觸最外層的所述輔助金屬層。

9.根據權利要求8所述的晶圓結構，其特征在于，還包括：

第二保護層，配置于所述第一保護層上與所述測試電極上，其中所述第二保護層具有至少一第三開口以及第四開口，所述第三開口暴露出部分所述測試電極而定義出至少一測試區，而所述第四開口完全暴露出所述輔助電極的上表面與部分所述第一保護層。

10.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，還包括：

多個密封環，分別環繞各所述芯片單元的周圍，且位于各所述芯片單元與各所述切割道之間。

11.根據權利要求1所述的晶圓結構，其特征在于，還包括：

多個主動區，分別對應所述多個測試接墊配置且位于所述基底上，其中所述多個導電通孔電性連接所述多層金屬層與對應所述多個主動區。