[發明專利]電壓調整器

有效

• 申請號: 201810087598.0
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108287588B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 邵博聞
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/571
• 分類號: G05F1/571
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發明公開了一種電壓調整器，由六個PMOS晶體管，八個NMOS晶體管，三個電阻，兩個電容，一個電子開關組成。本發明能在負載突變時快速作出反應，加速輸出電壓的穩定。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路領域，特別是涉及一種快速反應的電壓調整器。

背景技術

電壓調整器/線性穩壓器在集成電路中被廣泛應用。現有的電壓調整器如圖1所示，它由四個PMOS晶體管MP1-MP4，六個NMOS晶體管MN0-MN4、MDRV，一個電容C1，兩個電阻R1、R2組成。圖1中VB1～VB4是相應MOS晶體管柵極偏置電壓，來自其它電路。

這種傳統的電壓調整器，當負載電流突然變大時，即負載電流發生突變時會造成輸出電壓抖動，使輸出電壓OUT迅速下降，恢復較慢。NGATE端的電壓由于電容C1較大，充電電流小。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種電壓調整器，能在負載突變時快速作出反應，加速輸出電壓的穩定。

為解決上述技術問題，本發明的電壓調整器由六個PMOS晶體管，八個NMOS晶體管，三個電阻，兩個電容，一個電子開關組成；

第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的源極與電源電壓端VDD相連接，第三PMOS晶體管的源極與第一PMOS晶體管的漏極相連接，第四PMOS晶體管的源極與第二PMOS晶體管的漏極相連接，第三PMOS晶體管的柵極與第四PMOS晶體管的柵極相連接，第一PMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的柵極、第三PMOS晶體管的漏極和第三NMOS晶體管的漏極相連接，第四PMOS晶體管的漏極和第四NMOS晶體管的漏極相連接，其連接的節點記為NGATE；第三NMOS晶體管的柵極和第四NMOS晶體管的柵極相連接；

第三NMOS晶體管的源極與第一NMOS晶體管的漏極相連接，第四NMOS晶體管的源極與第二NMOS晶體管的漏極相連接，第一NMOS晶體管的源極、第二NMOS晶體管的源極和第五NMOS晶體管的漏極相連接，第五NMOS晶體管的源極接地端DNG；第一NMOS晶體管的柵極作為電壓輸入端VREF，第五NMOS晶體管的柵極輸入柵極偏置電壓VB1；

第六NMOS晶體管的漏極與電源電壓端VDD相連接，其柵極與所述NGATE端相連接，第一電容連接在NGATE端與地之間；第六NMOS晶體管的源極與第一電阻的一端相連接，第一電阻的另一端與第二電阻的一端和第二NMOS晶體管的柵極相連接，第二電阻的另一端接地端DNG；

第六NMOS晶體管的源極與第一電阻的連接端記為OUT；

其中，在電源電壓端VDD與所述NGATE端之間連接一電子開關，第三電阻的一端和第五PMOS晶體管的源極與所述OUT端相連接，第六PMOS晶體管的源極與第三電阻的另一端和第二電容的一端相連接；

第五PMOS晶體管的柵極和漏極、第六PMOS晶體管的柵極和第七NMOS晶體管的漏極相連接，第六PMOS晶體管的漏極和第八NMOS晶體管的漏極與所述電子開關的控制端相連接；

第七NMOS晶體管的源極、第八NMOS晶體管的源極和第二電容的另一端接地端DNG；第七NMOS晶體管的柵極和第八NMOS晶體管的柵極輸入柵極偏置電壓VB1；

第六PMOS晶體管的源極與第三電阻的連接端記為OUTDC，電子開關的控制端記為DET。

采用本發明的電壓調整器在負載突變時能快速作出反應，加速輸出電壓的穩定。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是現有的電壓調整器原理圖；

圖2是改進后的能快速反應的電壓調整器一實施例原理圖。

具體實施方式