[發明專利]一種基于硅十字架二聚體的單向性光學納米天線有效

申請號：	201810086810.1	申請日：	2018-01-30
公開（公告）號：	CN108333652B	公開（公告）日：	2020-12-18
發明（設計）人：	呂靖薇;劉超;汪發美;劉強;段志偉;牟海維	申請（專利權）人：	東北石油大學
主分類號：	G02B5/00	分類號：	G02B5/00;G02B6/10;G02B6/122
代理公司：	大慶禹奧專利事務所 23208	代理人：	朱士文;楊曉梅
地址：	163000 黑龍江省***	國省代碼：	黑龍江;23
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種基于十字架二聚體單向性光學納米天線
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【權利要求書】：

1.一種基于硅十字架二聚體的單向性光學納米天線，其特征在于：包括兩個對稱分布的十字架，所述十字架的材質為硅，兩個十字架之間的距離D為5nm；所述十字架的截面尺寸中橫桿長度L1為200nm，縱桿長度L2為150nm，橫桿寬度W1為60nm，縱桿寬度W2為90nm，厚度H為90 nm；所述單向性光學納米天線的背景折射率為常數1，十字架二聚體在外場的激發下，產生局域表面等離子體共振現象；所述單向性光學納米天線的入射光為平面波，波矢平行于x軸方向，x軸沿橫桿長度方向，偏振平行于y軸方向， y軸沿縱桿長度方向。

2.根據權利要求1所述的一種基于硅十字架二聚體的單向性光學納米天線，其特征在于：所述單向性光學納米天線支持電偶極、電四極共振和磁偶極、磁四極共振中的任意一種。

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