[發(fā)明專利]利用類石墨相氮化碳原位包覆硼粉制備二硼化鎂超導(dǎo)塊材的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810086193.5 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108163866A | 公開(公告)日: | 2018-06-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李文獻(xiàn);閆佳;康吉祥;何小芳;于上家;胡業(yè)旻;朱明原;李瑛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C01B35/04 | 分類號(hào): | C01B35/04;H01B12/00 |
| 代理公司: | 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顧勇華 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氮化碳 石墨相 硼粉 原位包覆 前驅(qū)體 制備 二硼化鎂超導(dǎo)塊材 裝管復(fù)合體 熱處理 二硼化鎂 混合粉體 摻雜 超導(dǎo)塊體 充分混合 后熱處理 均勻包覆 塊體材料 晶粒 不均勻 顆粒狀 連接性 硼顆粒 鐵管 鎂粉 密封 | ||
本發(fā)明公開了一種利用類石墨相氮化碳原位包覆硼粉制備二硼化鎂超導(dǎo)塊材的方法,步驟如下:將類石墨相氮化碳前驅(qū)體和硼粉充分混合后得到混合粉體;再對(duì)混合粉體經(jīng)過熱處理得到顆粒狀氮化碳原位包覆的硼粉;再將類石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制備成所需形狀的前驅(qū)體;再將前驅(qū)體和鎂粉一起密封入鐵管中得到裝管復(fù)合體;再將裝管復(fù)合體進(jìn)行熱處理,得到二硼化鎂超導(dǎo)塊體。本發(fā)明將類石墨相氮化碳前驅(qū)體和硼粉混合后熱處理,實(shí)現(xiàn)了類石墨相氮化碳對(duì)硼粉的原位均勻包覆,避免了采用其他碳源摻雜二硼化鎂時(shí)產(chǎn)生的不均勻現(xiàn)象;同時(shí)通過類石墨相氮化碳原位包覆硼顆粒的技術(shù)可以制備出晶粒連接性好、類石墨相氮化碳摻雜均勻的MgB2塊體材料。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種二硼化鎂超導(dǎo)塊材的制備方法,特別是涉及一種第二相碳元素?fù)诫s二硼化鎂超導(dǎo)塊材的制備方法,應(yīng)用于超導(dǎo)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
2001年MgB2的超導(dǎo)電性被日本研究小組報(bào)道,迅速在全世界范圍引起科研工作者的廣泛關(guān)注。其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度為39K,接近BCS理論的極限值。MgB2具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、相干長(zhǎng)度大和晶界不存在弱連接性等優(yōu)良特性,此外MgB2在超低溫制冷機(jī)工作溫區(qū)(>10K)即可實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)性能。由于超導(dǎo)材料在超導(dǎo)態(tài)時(shí)具有零電阻性和邁斯納效應(yīng),所以MgB2塊材可以利用其超導(dǎo)特性制成超導(dǎo)磁體,在磁懸浮列車等強(qiáng)磁場(chǎng)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。但是純二硼化鎂超導(dǎo)材料的臨界電流密度隨著磁場(chǎng)增強(qiáng)急劇衰減,限制了MgB2在高磁場(chǎng)下的應(yīng)用,嚴(yán)重影響其應(yīng)用范圍。因此,尋找提高二硼化鎂超導(dǎo)材料高場(chǎng)下臨界電流密度的途徑成為了研究的重點(diǎn)。
目前大量研究表明,通過元素?fù)诫s可以有效地提高二硼化鎂超導(dǎo)材料的上臨界場(chǎng)。通過原子替換作用引起晶格畸變,改善載流性能;同時(shí)以第二相存在的摻雜物可充當(dāng)有效的磁通釘扎中心,提高二硼化鎂的超導(dǎo)臨界電流密度。目前研究過程中碳是最為有效的摻雜元素之一。
傳統(tǒng)采用納米碳顆粒、碳納米管、無定形碳、納米金剛石、石墨烯和石墨等原料摻雜MgB2的技術(shù),是將原材料和摻雜材料混合后固相反應(yīng)生成MgB2。但是摻雜源分布不均會(huì)導(dǎo)致晶界處出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象,影響超導(dǎo)體的整體性能。目前大量采用的有機(jī)物摻雜在一定程度上避免了摻雜源的團(tuán)聚問題,但是有機(jī)物的分解過程較為復(fù)雜,會(huì)產(chǎn)生其他副產(chǎn)物影響材料性能。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)存在的不足,提供一種利用類石墨相氮化碳原位包覆硼粉制備二硼化鎂超導(dǎo)塊材的方法,類石墨相氮化碳具有層片狀結(jié)構(gòu),通過類石墨相氮化碳前驅(qū)體作為原材料,熱處理后能實(shí)現(xiàn)類石墨相氮化碳對(duì)硼顆粒的緊密均勻包覆,避免了傳統(tǒng)方法中摻雜源分布不均勻的缺點(diǎn);本發(fā)明制備的類石墨相氮化碳原位包覆的硼粉,保證了硼粉活性且防止硼粉氧化,隨后采用固相反應(yīng)法制備二硼化鎂超導(dǎo)塊體。通過該過程制備的類石墨相氮化碳摻雜二硼化鎂超導(dǎo)塊,磁通釘扎力強(qiáng),晶粒連接性好,高磁場(chǎng)條件下臨界電流密度高,應(yīng)用范圍廣。
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種利用類石墨相氮化碳原位包覆硼粉制備二硼化鎂超導(dǎo)塊材的方法,包括如下步驟:
(1)將類石墨相氮化碳前驅(qū)體和硼粉充分混合,得到混合粉體;所述類石墨相氮化碳前驅(qū)體優(yōu)選采用碳源前驅(qū)物、氮源前驅(qū)物或其化學(xué)反應(yīng)的產(chǎn)物;所述類石墨相氮化碳前驅(qū)體進(jìn)一步優(yōu)選采用三聚氰胺、三聚氰氯、尿素、硫脲、雙氰胺和氰胺中的任意一種物質(zhì)或任意幾種的混合物;
(2)將在所述步驟(1)中制備的混合粉體置于敞口式半封閉容器中進(jìn)行熱處理,在硼顆粒表面原位均勻包覆厚度可控的類石墨相氮化碳,得到類石墨相氮化碳原位包覆的硼粉;
(3)將在所述步驟(2)中制備的類石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制成所需形狀的前驅(qū)體;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海大學(xué),未經(jīng)上海大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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