[發(fā)明專利]測試裝置、測試裝置的制造方法以及測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810086158.3 | 申請日： | 2018-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN108336064B | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 北村陽介;大石周;黃曉櫓 | 申請（專利權(quán)）人： | 德淮半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 張小穩(wěn) |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 測試 裝置 制造 方法 以及 | ||
1.一種測試裝置，其特征在于所述測試裝置包括：
襯底，包含第一表面和第二表面；
像素傳感器陣列，布置在所述襯底內(nèi)且對通過所述襯底的第一表面入射的光敏感；
深溝槽隔離DTI結(jié)構(gòu)，所述DTI結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述像素傳感器陣列內(nèi)的相鄰的光電元件之間并且從所述襯底的第一表面處延伸至所述襯底內(nèi)的位置；
不透光的遮蔽層，布置在所述襯底的第一表面上方并且覆蓋所述像素傳感器陣列中的一部分像素傳感器內(nèi)的光電元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于所述不透光的遮蔽層包括金屬層以及在所述金屬層上方的電介質(zhì)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試裝置，其特征在于所述金屬層由鎢、鋁或其組合中的至少一種形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試裝置，其特征在于所述金屬層的厚度在100nm至300nm之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試裝置，其特征在于所述電介質(zhì)層由二氧化硅、氮化硅或其組合中的至少一種形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的測試裝置，其特征在于所述電介質(zhì)層的厚度在50nm至300nm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于所述像素傳感器陣列中的每一個包括布置在所述襯底內(nèi)的光電元件和布置在所述襯底的所述第二表面中或所述第二表面上的像素電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測試裝置，其特征在于所述測試裝置還包括：
后段制程BEOL金屬化堆疊件，布置在所述襯底的所述第二表面上方且經(jīng)耦合以將信號路由到所述像素電路或從所述像素電路路由信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于所述不透光的遮蔽層還覆蓋圍繞所述一部分像素傳感器的DTI結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試裝置，其特征在于所述測試裝置還包括位于所述襯底與所述遮蔽層之間的抗反射層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測試裝置，其特征在于所述抗反射層由氮化硅、氧化鈦或其組合中的至少一種形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測試裝置，其特征在于所述抗反射層的厚度在30nm至100nm之間。
13.一種測試裝置的制造方法，其特征在于所述制造方法包括：
提供包含第一表面和第二表面的襯底，其中所述襯底中形成有對通過所述襯底的第一表面入射的光敏感的像素傳感器陣列，其中深溝槽隔離DTI結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述像素傳感器陣列內(nèi)的相鄰的光電元件之間并且從所述襯底的第一表面處延伸至所述襯底內(nèi)的位置；
在所述襯底的第一表面上方形成不透光的遮蔽層；
對所述遮蔽層進(jìn)行圖案化，使得圖案化后的所述遮蔽層覆蓋所述像素傳感器陣列中的一部分像素傳感器內(nèi)的光電元件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于對所述遮蔽層進(jìn)行圖案化的步驟包括將所述遮蔽層圖案化以使得圖案化后的所述遮蔽層還覆蓋圍繞所述一部分像素傳感器的將所述像素傳感器陣列內(nèi)的像素傳感器隔離開的隔離結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于在所述襯底的第一表面上方形成不透光的遮蔽層的步驟包括在所述襯底的第一表面上方形成金屬層，然后在所述金屬層的上方形成電介質(zhì)層。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其特征在于在所述襯底的第一表面上方形成不透光的遮蔽層的步驟之前在所述襯底的第一表面上方形成抗反射層。
17.一種測試方法，其特征在于所述方法包括：
在不被光照的情況下，測量使用權(quán)利要求14至16中任一項(xiàng)所述的方法制造的測試裝置中的被遮蔽層遮蔽的像素傳感器的第一輸出；
用光照射所述測試裝置，并測量被遮蔽層遮蔽的像素傳感器的第二輸出；以及
將所述第一輸出與所述第二輸出進(jìn)行比較，以估計(jì)像素傳感器陣列內(nèi)的像素傳感器之間的像素隔離。
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