[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法和半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810086095.1
• 申請日: 2018-01-30
• 公開（公告）號: CN108511393B
• 公開（公告）日: 2023-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 槙山秀樹
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12;H10B10/00
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩(wěn)

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)在絕緣體上硅襯底的半導(dǎo)體層側(cè)上形成隔離部分，由此形成被所述絕緣體上硅襯底中的所述隔離部分分隔的有源區(qū)，其中所述絕緣體上硅襯底包括支撐襯底、所述支撐襯底上形成的掩埋絕緣膜以及所述掩埋絕緣膜上形成的所述半導(dǎo)體層；

(b)通過對所述絕緣體上硅襯底執(zhí)行第一選擇性外延生長處理，在所述有源區(qū)中的所述半導(dǎo)體層的外端部上選擇性地形成第一外延層；以及

(c)在步驟(b)之后，通過對所述絕緣體上硅襯底執(zhí)行第二選擇性外延生長處理，在所述第一外延層和所述有源區(qū)中的所述半導(dǎo)體層之上選擇性地形成第二外延層，

其中，所述有源區(qū)包括：

第一有源區(qū)，具有在第一方向上的長度大于或等于第一長度的寬度；以及

第二有源區(qū)，具有在所述第一方向上的長度小于所述第一長度的寬度；

其中，所述第一選擇性外延生長處理是對所述第一有源區(qū)執(zhí)行的；以及

其中，所述第二選擇性外延生長處理是對所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)執(zhí)行的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述第一選擇性外延生長處理是對所述第一有源區(qū)中的所述半導(dǎo)體層的所述第一方向上的兩個端部均執(zhí)行的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在步驟(a)中，還包括以下步驟：

(a1)在形成所述隔離部分之后，在所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)中形成柵極電極；以及

(a2)在步驟(a1)之后，在所述柵極電極的側(cè)面上形成側(cè)壁間隔物；

其中所述第一方向是所述柵極電極的柵極寬度方向。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，在步驟(b)中，還包括以下步驟：

(b1)在所述絕緣體上硅襯底之上形成掩模層，通過所述掩模層，所述第一有源區(qū)中的所述半導(dǎo)體層的外周端部被部分地暴露；

(b2)在步驟(b1)之后，對所述絕緣體上硅襯底執(zhí)行所述第一選擇性外延生長處理；

(b3)在步驟(b2)之后，去除所述掩模層；以及

(b4)在步驟(b3)之后，對所述絕緣體上硅襯底執(zhí)行所述第二選擇性外延生長處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中通過使用氮化硅膜形成所述側(cè)壁間隔物，并且通過使用氧化硅膜形成所述掩模層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中通過使用氧化硅膜形成所述側(cè)壁間隔物，并且通過使用氮化硅膜形成所述掩模層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中所述第一長度是250nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在與所述隔離部分的端部相距90nm之內(nèi)的位置之上形成所述第一外延層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在所述第一選擇性外延生長處理和所述第二選擇性外延生長處理中，使用包含二氯硅烷、氯化氫和氫氣的氣體，并使用壓力不小于10Pa且不大于1000Pa并且溫度不小于700℃且不大于800℃的膜沉積條件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中在所述第一選擇性外延生長處理和所述第二選擇性外延生長處理中，使用包含硅烷、氯氣和氫氣的氣體，并使用壓力不小于10Pa且不大于1000Pa并且溫度不小于500℃且不大于700℃的膜沉積條件。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

(d)在步驟(c)之后，在所述絕緣體上硅襯底之上沉積絕緣膜；以及

(e)在所述絕緣膜中形成耦合到所述第二外延層的插塞。